[發明專利]一種具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法在審
| 申請號: | 202210089479.5 | 申請日: | 2022-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN114300270A | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發明(設計)人: | 柯燎亮;丁建淳;隋天一;王皓吉;林彬 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/224;H01G4/228;H01G4/12 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人: | 李紅媛 |
| 地址: | 300350 *** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 防水 抗擊 特性 多層 陶瓷 電容器 結構 制備 方法 | ||
1.一種具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法,其特征在于它是按以下步驟進行的:
一、MLCC陶瓷基體表面微結構的制備:
利用激光加工或滾輪加工,在多層陶瓷電容器的陶瓷基體表面上設置微結構平行溝槽,得到表面設有微結構平行溝槽的MLCC陶瓷基體;
二、防水涂層的制備:
在表面設有微結構平行溝槽的MLCC陶瓷基體表面噴涂硅基疏水涂料,得到防水涂層;
三、防水涂層表面疏水微結構的制備:
在防水涂層上激光加工微孔點陣或者微溝槽網狀陣列,得到表面設有疏水微結構的防水涂層,最后封端制備端電極,即完成具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法。
2.根據權利要求1所述的一種具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法,其特征在于步驟一中所述的微結構平行溝槽為三角形微結構平行溝槽、矩形微結構平行溝槽或楔形微結構平行溝槽。
3.根據權利要求2所述的一種具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法,其特征在于步驟一中所述的微結構平行溝槽的槽寬為10μm~500μm,深度為20μm~500μm,相鄰槽距為10μm~500μm。
4.根據權利要求3所述的一種具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法,其特征在于步驟一中表面設有微結構平行溝槽的MLCC陶瓷基體,具體是按以下步驟制備:
①、將陶瓷粉體流延及載片,得到生瓷帶;
②、電容部制備:對步驟①生瓷帶沖孔、填孔及印刷,然后在不與端電極接觸的兩側側邊上激光加工側邊微結構,得到印刷后的生瓷帶,以兩個或多個印刷后的生瓷帶疊片作為電容部;
③、表層部制備:以一個或一個以上處理后的生瓷帶疊片作為表層部;所述的處理后的生瓷帶具體是依據微結構平行溝槽深度的實際要求,在作為表層部的全部生瓷帶表面或部分生瓷帶表面激光加工位置對應的多個表層微結構,使得疊片后各生瓷帶表面位置對應的表層微結構形成微結構平行溝槽,并在不與端電極接觸的兩側側邊上激光加工側邊微結構;
④、按表層部-電容部-表層部的方式進行疊片,疊片后,表層部與電容部的側邊微結構形成微結構平行溝槽,最后靜壓及燒結,得到表面設有微結構平行溝槽的MLCC陶瓷基體。
5.根據權利要求3所述的一種具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法,其特征在于步驟一中表面設有微結構平行溝槽的MLCC陶瓷基體,具體是按以下步驟進行:
①、將陶瓷粉體流延及載片,得到生瓷帶;
②、對步驟①生瓷帶沖孔、填孔及印刷,得到印刷后的生瓷帶,以兩個或多個印刷后的生瓷帶疊片作為電容部;以一個或一個以上步驟①生瓷帶疊片作為表層部;按表層部-電容部-表層部的方式進行疊片、靜壓及燒結,得到多層陶瓷電容器陶瓷基體;
③、在多層陶瓷電容器陶瓷基體未與端電極接觸的四個表面上激光加工微結構平行溝槽,得到表面設有微結構平行溝槽的MLCC陶瓷基體。
6.根據權利要求3所述的一種具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法,其特征在于步驟一中表面設有微結構平行溝槽的MLCC陶瓷基體,具體是按以下步驟進行:
①、將陶瓷粉體流延及載片,得到生瓷帶;
②、對步驟①生瓷帶沖孔、填孔及印刷,得到印刷后的生瓷帶,以兩個或多個印刷后的生瓷帶疊片作為電容部;以一個或一個以上步驟①生瓷帶疊片作為表層部;按表層部-電容部-表層部的方式進行疊片及靜壓,得到未燒結的多層陶瓷電容器陶瓷基體;
③、使用滾輪在未燒結的多層陶瓷電容器陶瓷基體未與端電極接觸的四個表面上壓制出微結構平行溝槽,最后燒結,得到表面設有微結構平行溝槽的MLCC陶瓷基體。
7.根據權利要求1、4或5所述的一種具有防水抗擊穿特性的多層陶瓷電容器結構的制備方法,其特征在于所述的激光加工具體為利用CO2激光雕刻機在額定功率10W~200W及加工精度0.02mm的條件下激光加工。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津大學,未經天津大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210089479.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





