[發(fā)明專利]用于等離子體處理系統(tǒng)的承載板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210089147.7
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN114709119A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 卡爾·利瑟
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01L21/677;C23C16/458;C23C16/50;C23C16/505;C23C16/52
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種用于接納晶片的承載板，所述承載板接納于處理室的基座上，所述承載板包括：

凹穴，其限定在所述承載板的頂表面上的中間部分中，所述凹穴限定襯底支撐區(qū)域并覆蓋至少表面直徑；

保持特征，其鄰近所述凹穴的外邊緣布置以便所述保持特征的頂表面鄰近所述凹穴的臺階，所述保持特征包括布置在與所述臺階相對的一側(cè)的第二臺階；

所述承載板的底表面，其被配置成接納于在所述處理室使用的所述基座上，其中所述承載板的所述底表面的幾何輪廓與所述基座的頂表面的幾何輪廓相匹配；以及

多個晶片支撐件，其被設(shè)置在所述襯底支撐區(qū)域的頂表面上，以在接納所述晶片時(shí)支撐所述晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中所述基座的所述頂表面包括中心部分、豎直部分和水平部分，所述中心部分延伸所述表面直徑，所述豎直部分從所述中心部分的外邊緣向下延伸第二高度，所述水平部分從所述豎直部分的底部向外徑延伸，以及

其中所述承載板的所述底表面的幾何輪廓匹配所述基座的所述頂表面的所述幾何輪廓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的承載板，其中所述第二高度為約4mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中所述基座的所述頂表面的所述幾何輪廓是平的，以及其中所述承載板的所述底表面的幾何輪廓基本上是平的以便匹配所述基座的所述頂表面的所述幾何輪廓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中所述承載板的所述底表面延伸到所述基座的外徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中所述承載板是可拆卸的單元，并且被配置為在其上接收有所述晶片的情況下移入和移出所述處理室。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，所述凹穴的表面直徑至少是接納在所述承載板上的所述晶片的直徑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，所述保持特征還包括，

錐形部分，其從所述保持特征的所述第二臺階的底部邊緣逐漸變細(xì)到所述基座的外徑以限定成角度的凹部，該成角度的凹部形成在所述錐形部分的頂表面上，配置為接收聚焦環(huán)，使得當(dāng)所述晶片被接納在所述凹穴中時(shí)，所述聚焦環(huán)的頂表面與所述保持特征的頂表面和所述晶片的頂表面共面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的承載板，其中所述聚焦環(huán)的幾何輪廓與所述承載板的所述錐形部分的幾何輪廓匹配。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的承載板，其中所述聚焦環(huán)與所述承載板的所述錐形部分一體地耦合。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的承載板，其中所述錐形部分的所述頂表面包括多個環(huán)支撐件以在接納所述聚焦環(huán)時(shí)為支撐所述聚焦環(huán)提供最小接觸區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，所述保持特征進(jìn)一步包括，

平坦部分，其從所述保持特征的所述第二臺階的底部邊緣向外延伸到所述基座的外徑以限定凹部，所述凹部形成在所述平坦部分的頂表面上，配置為接納聚焦環(huán)，限定所述凹部的深度使得當(dāng)所述晶片被接納在所述凹穴中時(shí)，所述聚焦環(huán)的頂表面與所述保持特征的所述頂表面和所述晶片的頂表面共面。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的承載板，其中，所述聚焦環(huán)的幾何輪廓與所述承載板的所述平坦部分的幾何輪廓相匹配，并且

其中，所述平坦部分的所述頂表面包括多個環(huán)支撐件，以在所述聚焦環(huán)被容納在所述凹部中時(shí)提供用于支撐所述聚焦環(huán)的最小接觸區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的承載板，其中，所述多個晶片支撐件限定用于在接納所述晶片時(shí)支撐所述晶片的最小接觸區(qū)域。