[發(fā)明專利]發(fā)光二極管和發(fā)光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210088785.7 | 申請日： | 2022-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN114497300A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳勁華;王彥欽;徐翀;郭桓邵;黃少華;彭鈺仁 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/44;H01L33/30 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361009 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 發(fā)光 裝置 | ||
1.發(fā)光二極管，包括：
半導體外延疊層，具有相對的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆疊的第一類型半導體層、有源層和第二類型半導體層；
所述有源層包括n個周期的量子阱結(jié)構(gòu)，每個周期的量子阱結(jié)構(gòu)包括依次沉積的阱層和勢壘層，所述勢壘層的帶隙大于阱層的帶隙；
其特征在于：所述勢壘層的帶隙自半導體外延疊層的第一表面至第二表面方向是逐漸增大的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述阱層由AlxGa1-xInP材料組成；所述勢壘層由AlyGa1-yInP材料組成，其中0≤x≤y≤1。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述勢壘層的Al組分含量y的范圍為0.3~0.85。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述勢壘層的Al組分的百分含量自半導體外延疊層的第一表面至第二表面方向是逐漸增大的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述有源層的周期數(shù)n為2~100。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述有源層的周期數(shù)n為5~50。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述阱層的厚度為5~25nm；所述勢壘層的厚度為5~25nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述勢壘層的Al組分的百分含量按一個周期或幾個周期的方式從所述半導體外延疊層的第一表面至第二表面方向逐漸增大。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管還包含第一電極和第二電極，分別與所述第一類型半導體層和第二類型半導體層形成電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管還包含絕緣保護層，位于所述半導體外延疊層的表面和側(cè)壁。
11.根據(jù)權(quán)利要求所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述有源層輻射波長為550~950nm的光。
12.一種發(fā)光裝置，其特征在于：包含權(quán)利要求1~11中任一項所述的發(fā)光二極管。
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