[發明專利]一種芯片封裝中鋁墊鍵合方法及其應用在審
| 申請號： | 202210087000.4 | 申請日： | 2022-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN114496822A | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | 孔秋東;李燦;程飛;呂向東;任軍 | 申請（專利權）人： | 恒爍半導體（合肥）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/607 | 分類號： | H01L21/607;H01L23/488 |
| 代理公司： | 合肥陸緯知識產權代理事務所(普通合伙) 34218 | 代理人： | 袁浩 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥市廬陽區天*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 封裝 中鋁墊鍵合 方法 及其 應用 | ||
1.一種芯片封裝中鋁墊鍵合方法，其特征在于，所述鋁墊尺寸不超過50μm×50μm，所述方法包括以下步驟：
在預設溫度下，通過打火桿在磁嘴前燒球；
設置劈刀壓力31-36g，并在預設超聲強度和鍵合時間下，將劈刀下降到芯片的鋁墊上，形成焊點。
2.根據權利要求1所述的一種芯片封裝中鋁墊鍵合方法，其特征在于，所述鋁墊尺寸為45μm×45μm。
3.根據權利要求2所述的一種芯片封裝中鋁墊鍵合方法，其特征在于，所述劈刀內穿焊線，所述焊線為0.7mil的鍍鈀銅線。
4.根據權利要求3所述的一種芯片封裝中鋁墊鍵合方法，其特征在于，所述預設溫度為195-205℃。
5.根據權利要求4所述的一種芯片封裝中鋁墊鍵合方法，其特征在于，所述超聲強度包括第一超聲強度和第二超聲強度，所述第一超聲強度為37-45mAmps，所述第二超聲強度為56-65mAmps；
所述鍵合時間包括分別匹配第一超聲強度和第二超聲強度的第一鍵合時間和第二鍵合時間，所述第一鍵合時間和第二鍵合時間均為13-17ms。
6.根據權利要求5所述的一種芯片封裝中鋁墊鍵合方法，其特征在于，所述在預設超聲強度和鍵合時間下，將劈刀下降到芯片的鋁墊上，形成焊點具體包括：
在焊球剛接觸到鋁墊時，施加第一超聲強度的超聲波，時長為第一鍵合時間；
隨即施加第二超聲強度的超聲波，時長為第二鍵合時間。
7.根據權利要求6所述的一種芯片封裝中鋁墊鍵合方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟：
在焊點形成后劈刀牽引焊線上升；
劈刀繼續牽引焊線形成焊線弧度；
劈刀下降到框架上形成焊接；
劈刀側向劃開，將焊線切斷形成魚尾；
檢查整體鍵合結果。
8.一種芯片，其特征在于，采用如權利要求1-7任意一項所述的方法進行封裝作業。
9.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求8所述的芯片。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
