[發明專利]半導體存儲裝置在審
| 申請號： | 202210086608.5 | 申請日： | 2022-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN115938457A | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發明（設計）人： | 佐藤裕治;駒井宏充 | 申請（專利權）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/42 | 分類號： | G11C29/42;G11C8/08;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 楊林勳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體存儲裝置，包含：
多個數據鎖存電路，用于感測放大電路與輸入輸出電路之間的數據的輸入輸出；及
數據配線，連接于多個所述數據鎖存電路；且
所述數據鎖存電路包含：
數據保存部，暫時保存在所述感測放大電路與所述輸入輸出電路之間輸入輸出的數據；以及
N通道型MOS晶體管及P通道型MOS晶體管中的至少一者，設置于所述數據保存部與所述數據配線之間；
所述N通道型MOS晶體管及所述P通道型MOS晶體管中的至少一者多重化。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中
所述N通道型MOS晶體管及所述P通道型MOS晶體管中的至少一者以3重以上的重數多重化。
3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中
將所述N通道型MOS晶體管及所述P通道型MOS晶體管至少一者中的多重化的晶體管設為多重化晶體管時，
所述多重化晶體管中包含：
第1晶體管，柵極被輸入第1信號；及
第2晶體管，柵極被輸入與所述第1信號不同的第2信號。
4.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中
在所述N通道型MOS晶體管及所述P通道型MOS晶體管中的多重化的晶體管各自的柵極，連接有共通的信號線。
5.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其中
在所述N通道型MOS晶體管及所述P通道型MOS晶體管至少一者中的多重化的晶體管各自的柵極，連接有個別的信號線。
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