[發明專利]一種半透明晶圓及其曝光過程加工方法

在審

• 申請號: 202210086229.6
• 申請日: 2022-01-25
• 公開（公告）號: CN114545740A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 蘭則超;楊思川;苗湘;黃小東
• 申請（專利權）人: 北京中科飛鴻科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/09
• 分類號: G03F7/09
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司 11508
• 代理人: 鄭雷;莊博強

本申請涉及一種半透明晶圓及其曝光過程加工方法，其方法包括在所述晶圓底部鍍一層防反射薄膜。本申請不僅能夠有效減少光線在晶圓底部向上反射，以解決半透明晶圓在曝光過程中因晶圓底部反射帶來的一致性較差的問題。同時，由于本申請是在晶圓底部進行鍍膜，所以能夠保證防反射薄膜較好的膜厚均勻性以及較好的平整度，對鍍膜工藝的要求較低，工藝也較為簡單。

技術領域

本申請涉及聲表面波濾波器的領域，尤其是涉及一種半透明晶圓及其曝光過程底部加工方法。

背景技術

聲表面波器件應用于通信電臺、衛星通信和雷達指引等高科技技術領域，目前軍用和民用聲表面波濾波器芯片對一致性要求越來越高。

可以了解的是，聲表面波濾波器芯片工藝流片過程中，透明或半透明晶圓在曝光過程中，曝光光源穿透晶圓后在晶圓底部發生反射，反射的光會造成光刻膠曝光不均勻，以影響芯片制作中線條的均勻性，進而造成產品不合格或一致性較差。

為此，現有技術中通常在勻膠之前會在晶圓正面涂覆防反射層，涂覆防反射層后進行勻膠以一定程度上改善曝光反射問題。

但是，由于防反射層涂覆在晶圓正面，會對勻膠工序的膠膜均勻性造成影響，這就要求在晶圓正面進行的涂覆工藝十分精細，進而增加了工藝復雜性。

發明內容

為了在改善曝光反射問題的同時簡化工藝，本申請提供一種半透明晶圓及其曝光過程加工方法。

第一方面，本申請提供一種半透明晶圓曝光過程加工方法，采用如下的技術方案：

一種半透明晶圓曝光過程加工方法，包括在所述晶圓底部鍍一層防反射薄膜。

通過采用上述技術方案，不僅能夠有效減少光線在晶圓底部向上反射，以解決半透明晶圓在曝光過程中因晶圓底部反射帶來的一致性較差的問題。同時，由于本申請是在晶圓底部進行鍍膜，所以能夠保證防反射薄膜較好的膜厚均勻性以及較好的平整度，對鍍膜工藝的要求較低，工藝也較為簡單。

可選的，所述防反射薄膜不與特定化學藥品發生化學反應，特定化學藥品為丙酮、無水乙醇、四甲基氫氧化銨水溶液和光刻膠。

通過采用上述技術方案，由于在半透明晶圓的整個加工過程中需要使用多種化學藥品，故為了保證防反射薄膜的穩定性，需要防反射薄膜具有一定的惰性。

可選的，所述防反射薄膜由厚度為nm級時呈現灰黑色的金屬材料制成。

通過采用上述技術方案，防反射薄膜能夠有效吸收穿透晶圓的光線，防止光線在晶圓底部向各個方向反射。

可選的，所述金屬材料為鉻。

可選的，所述防反射薄膜的厚度為5-8nm。

通過采用上述技術方案，5nm厚度金屬鉻膜層使白色半透明晶圓呈現黑色，其能夠有效吸收穿透晶圓的光線，防止光線在晶圓底部向各個方向反射，從而改善曝光均勻性。

可選的，所述防反射薄膜通過電子束蒸鍍技術或濺射鍍膜技術制成。

第二方面，本申請提供一種半透明晶圓，采用如下的技術方案：

一種半透明晶圓，包括晶圓本體，所述晶圓本體的底部鍍有一層防反射薄膜。

可選的，所述防反射薄膜不與特定化學藥品發生化學反應，特定化學藥品為丙酮、無水乙醇、四甲基氫氧化銨水溶液和光刻膠。

可選的，所述防反射薄膜由金屬鉻制成。

可選的，所述防反射薄膜的厚度為5-8nm。

綜上所述，本申請包括以下至少一種有益技術效果：