[發(fā)明專利]一種基于原子開關(guān)的抗輻照間接耦合型配置單元結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210085487.2 | 申請日： | 2022-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN114421942B | 公開（公告）日： | 2023-03-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙偉;魏敬和;劉國柱;許磊;魏軼聃;魏應(yīng)強;隋志遠;陳浩然;周穎 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 鄭婷婷;楊立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 原子 開關(guān) 輻照 間接 耦合 配置 單元 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種基于原子開關(guān)的抗輻照間接耦合型配置單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括原子開關(guān)AS1和AS2、選通管T1和T2，信號傳輸管T3；其中，
選通管T1的漏端、選通管T2的源端、原子開關(guān)AS1的陰極、原子開關(guān)AS2的陰極彼此相連，選通管T2的漏端與信號傳輸管T3的柵端相連；
選通管T1和T2、信號傳輸管T3屬于同一種溝道類型MOS器件；
所述原子開關(guān)AS1和AS2均為由活性金屬電極/固體電解質(zhì)/惰性金屬電極構(gòu)成的三明治結(jié)構(gòu)，活性金屬電極為陽極，惰性金屬電極為陰極；
對原子開關(guān)AS1或AS2進行Set操作時，選通管T1的源端接GND，在選通管T1的柵端施加一指定電位使選通管T1處于導(dǎo)通狀態(tài)，在原子開關(guān)AS1或AS2的陽極施加一正脈沖電壓Vset，由此實現(xiàn)原子開關(guān)AS1或AS2的Set操作，在固體電解質(zhì)中形成金屬細絲導(dǎo)電通道，使原子開關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)；原子開關(guān)具有非易失性，在Set操作后，金屬細絲能夠穩(wěn)定存在，導(dǎo)通狀態(tài)保持不變；
對原子開關(guān)AS1或AS2進行Reset操作時，選通管T1的源端接GND，在選通管T1的柵端施加一指定電位使選通管T1處于導(dǎo)通狀態(tài)，在原子開關(guān)AS1或AS2的陽極施加一負脈沖電壓Vreset，由此實現(xiàn)原子開關(guān)AS1或AS2的Reset操作，在固體電解質(zhì)中導(dǎo)電細絲溶解，使原子開關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)，原子開關(guān)具有非易失性，在Reset操作后，金屬細絲不會自發(fā)形成，關(guān)斷狀態(tài)保持不變。
2.如權(quán)利要求1所述的基于原子開關(guān)的抗輻照間接耦合型配置單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，使所述信號傳輸管T3處于導(dǎo)通狀態(tài)的操作步驟有兩種，
第一種：（1）對原子開關(guān)AS1進行Reset操作；（2）對原子開關(guān)AS2進行Set操作；（3）在選通管T1的柵端施加一指定電位使選通管T1處于關(guān)斷狀態(tài)，同時原子開關(guān)AS1的陽極接GND電位，AS2的陽極接Vcc電位，使Vcc電位傳遞至信號傳輸管T3的柵端，由此實現(xiàn)信號傳輸管T3的導(dǎo)通狀態(tài)；
第二種：（1）對原子開關(guān)AS2進行Reset操作；（2）對原子開關(guān)AS1進行Set操作；（3）在選通管T1的柵端施加一指定電位使選通管T1處于關(guān)斷狀態(tài)，同時原子開關(guān)AS2的陽極接GND電位，AS1的陽極接Vcc電位，使Vcc電位傳遞至信號傳輸管T3的柵端，由此實現(xiàn)信號傳輸管T3的導(dǎo)通狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的基于原子開關(guān)的抗輻照間接耦合型配置單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述信號傳輸管T3處于關(guān)斷狀態(tài)的操作步驟有兩種，
第一種：（1）對原子開關(guān)AS2進行Reset操作；（2）對原子開關(guān)AS1進行Set操作；（3）在選通管T1的柵端施加一指定電位使選通管T1處于關(guān)斷狀態(tài)，同時原子開關(guān)AS1的陽極接GND電位，原子開關(guān)AS2的陽極接Vcc電位，使GND電位傳遞至信號傳輸管T3的柵端，由此實現(xiàn)信號傳輸管T3的關(guān)斷狀態(tài)；
第二種：（1）對原子開關(guān)AS1進行Reset操作；（2）對原子開關(guān)AS2進行Set操作；（3）在選通管T1的柵端施加一指定電位使選通管T1處于關(guān)斷狀態(tài)，同時原子開關(guān)AS2的陽極接GND電位，原子開關(guān)AS1的陽極接Vcc電位，使GND電位傳遞至信號傳輸管T3的柵端，由此實現(xiàn)信號傳輸管T3的關(guān)斷狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的基于原子開關(guān)的抗輻照間接耦合型配置單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述信號傳輸管T3采用低壓MOS管，以進一步降低配置單元的面積。
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