[發(fā)明專利]磁傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210085333.3
• 申請日: 2022-01-25
• 公開（公告）號: CN114791578A
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設計）人: 高橋宏和;牧野健三
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;梁策

1.一種磁傳感器，其特征在于：

具備：電阻值根據(jù)外部磁場而發(fā)生變化的磁阻效應元件；和支撐所述磁阻效應元件的支撐構件，

所述支撐構件具有：與所述磁阻效應元件相對的相對面；和由配置在所述相對面的相反側的平面構成的下表面，

所述相對面包含相對于所述下表面傾斜的傾斜部分，

作為所述磁傳感器的截面，在與所述下表面垂直的特定的截面中，所述傾斜部分在所述傾斜部分上的第1位置相對于所述下表面形成第1角度而傾斜，并且所述傾斜部分在所述傾斜部分上的第2位置相對于所述下表面形成比所述第1角度小的第2角度而傾斜，

所述第1位置處的所述傾斜部分的曲率的絕對值，小于所述第2位置處的所述傾斜部分的曲率的絕對值，

所述磁阻效應元件，具有位于所述磁阻效應元件的寬度方向的兩端的第1端部和第2端部，以在所述截面中所述第1端部位于所述第1位置的上方的方式，配置在所述傾斜部分之上。

2.根據(jù)權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于：

所述磁阻效應元件，以在所述截面中所述第2端部位于所述第2位置的上方的方式，配置在所述傾斜部分之上。

3.根據(jù)權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于：

所述第1位置和所述第2位置，處于從在所述截面中最靠近所述下表面的所述傾斜部分上的第3位置至在所述截面中最遠離所述下表面的所述傾斜部分上的第4位置的范圍內。

4.根據(jù)權利要求3所述的磁傳感器，其特征在于：

所述傾斜部分，在從所述第1位置至所述第2位置的范圍內，以所述第1角度成為最大且所述第2角度成為最小的方式，相對于所述下表面傾斜，

所述傾斜部分的曲率的絕對值，在從所述第1位置至所述第2位置的范圍內，在所述第1位置成為最小，在除了所述第1位置以外的規(guī)定位置成為最大。

5.根據(jù)權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于：

所述相對面包含向從所述下表面分離的方向突出的凸面，

所述傾斜部分是所述凸面的一部分。

6.根據(jù)權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于：

所述相對面包含向靠近所述下表面的方向凹陷的凹面，

所述傾斜部分是所述凹面的一部分。

7.根據(jù)權利要求1所述的磁傳感器，其特征在于：

所述磁阻效應元件包含：具有方向能夠根據(jù)所述外部磁場而發(fā)生變化的磁化的磁性層，

所述磁性層具有第1面和配置在所述第1面的相反側的第2面，并且具有作為與所述磁性層的所述第1面垂直的方向的尺寸的膜厚，

所述第1端部的所述膜厚小于所述第2端部的所述膜厚。

8.根據(jù)權利要求7所述的磁傳感器，其特征在于：

所述膜厚隨著從所述第2端部靠近所述第1端部而變小。

9.根據(jù)權利要求7所述的磁傳感器，其特征在于：

所述第1面和所述第2面具有各自在與所述截面交叉的方向上長的形狀。