[發明專利]一種雙層薄膜結構的全光控憶阻器件及其制備方法在審
| 申請號： | 202210084878.2 | 申請日： | 2022-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN114464732A | 公開（公告）日： | 2022-05-10 |
| 發明（設計）人： | 王中強;杜怡明;陶冶;徐海陽;劉益春 | 申請（專利權）人： | 東北師范大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 遼寧鴻文知識產權代理有限公司 21102 | 代理人： | 王海波 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙層 薄膜 結構 光控 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種雙層薄膜結構的全光控憶阻器件，從下往上依次為SiO2襯底、惰性電極、ZnO薄膜層、MoOx薄膜層、透明電極，所述ZnO薄膜層和MoOx薄膜層共同組成了全光控憶阻器件的光電憶阻層；所述ZnO薄膜層的厚度為100±20nm。
2.根據權利要求1所述的一種雙層薄膜結構的全光控憶阻器件，其特征在于，所述MoOx薄膜層的厚度為100±30nm。
3.根據權利要求1或2所述的一種雙層薄膜結構的全光控憶阻器件，其特征在于，所述惰性電極為W或Pt，所述透明電極為ITO或FTO。
4.權利要求1-3任一所述一種雙層薄膜結構的全光控憶阻器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將SiO2襯底依次用丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗8～15分鐘，用氮氣吹干；
S2、在SiO2襯底上沉積W薄膜作為底電極，生長條件為：在室溫純氬氣的環境下，使用鎢靶以80W的功率濺射5分鐘；
S3、在W電極上沉積ZnO薄膜，生長條件為：在室溫純氬氣的環境下，使用氧化鋅靶以80W的功率濺射30分鐘；
S4、在ZnO薄膜上沉積MoOx薄膜，生長條件為：在室溫純氬氣的環境下，使用氧化鉬靶以80W的功率濺射30分鐘，制得光電憶阻層；
S5、在步驟S4制得得光電憶阻層上沉積透明電極ITO，生長條件為：在室溫純氬氣的環境下，使用ITO靶以30W的功率濺射2分鐘。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于：步驟S2-S5中，所述沉積方法為磁控濺射法。
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