[發(fā)明專利]一種熱電轉(zhuǎn)換器件及其制備方法、熱電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210084060.0 | 申請日： | 2022-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN114597305A | 公開（公告）日： | 2022-06-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭興華;王春陽;楊嘯;張挺;盧瑞;陳海生 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院工程熱物理研究所 |
| 主分類號： | H01L35/28 | 分類號： | H01L35/28;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛異榮 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 熱電 轉(zhuǎn)換 器件 及其 制備 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種熱電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于，包括：
第一電極；
與所述第一電極電連接的P型元件和N型元件；
分別位于所述P型元件和N型元件背離所述第一電極一側(cè)的第二電極；
所述P型元件包括自第二電極至第一電極的方向上層疊的若干個P型子層區(qū)，對于任意一個P型子層區(qū)，所述P型子層區(qū)朝向所述第一電極一側(cè)的表面面積小于所述P型子層區(qū)朝向所述第二電極一側(cè)的表面面積；和/或，所述N型元件包括自第二電極至第一電極的方向上層疊的若干個N型子層區(qū)，對于任意一個N型子層區(qū)，所述N型子層區(qū)朝向所述第一電極一側(cè)的表面面積小于所述N型子層區(qū)朝向所述第二電極一側(cè)的表面面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于,所述若干個P型子層區(qū)包括第一個P型子層區(qū)至第M個P型子層區(qū)，M為大于或等于2的整數(shù)，第k+1個P型子層區(qū)位于第k個P型子層區(qū)背離所述第二電極的一側(cè)表面，k為大于或等于1且小于或等于M-1的整數(shù)；第k個P型子層區(qū)朝向所述第一電極一側(cè)的面積大于或等于第k+1個P型子層區(qū)朝向所述第一電極一側(cè)的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于,第k個P型子層區(qū)的厚度小于或等于第k+1個P型子層區(qū)的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于，所述若干個N型子層區(qū)包括第一個N型子層區(qū)至第Q個N型子層區(qū)，Q為大于或等于2的整數(shù)，第j+1個N型子層區(qū)位于第j個N型子層區(qū)背離所述第二電極的一側(cè)表面，j為大于或等于1且小于或等于Q-1的整數(shù)；第j個N型子層區(qū)朝向所述第一電極一側(cè)的面積大于或等于第j+1個N型子層區(qū)朝向所述第一電極一側(cè)的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于，第j個N型子層區(qū)的厚度小于或等于第j+1個N型子層區(qū)的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的熱電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于，每個P型子層區(qū)的厚度為5nm~1mm；每個N型子層區(qū)的厚度為5nm~1mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的熱電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于，所述P型子層區(qū)的頂面和底面為圓形，或者，所述P型子層區(qū)的頂面和底面為矩形；
所述N型子層區(qū)的頂面和底面為圓形，或者，所述N型子層區(qū)的頂面和底面為矩形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項所述的熱電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于，對于任意一個P型子層區(qū)，P型子層區(qū)的底面和側(cè)壁之間的夾角為2.5度至87.5度；對于任意一個N型子層區(qū)，N型子層區(qū)的底面和側(cè)壁之間的夾角為2.5度至87.5度。
9.一種熱電轉(zhuǎn)換器件的制備方法，其特征在于，包括：
提供第一電極和第二電極；
形成P型元件和N型元件，所述P型元件具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)，所述N型元件具有相對的第三側(cè)和第四側(cè)；
所述P型元件包括自第一側(cè)至第二側(cè)的方向上層疊的若干個P型子層區(qū)，對于任意一個P型子層區(qū)，所述P型子層區(qū)朝向第二側(cè)的表面面積小于所述P型子層區(qū)朝向第一側(cè)的表面面積；和/或，所述N型元件包括自第三側(cè)和第四側(cè)的方向上層疊的若干個N型子層區(qū)，所述N型子層區(qū)朝向第四側(cè)的表面面積小于所述N型子層區(qū)朝向第三側(cè)的表面面積；
將所述P型元件和N型元件設(shè)置在第一電極和第二電極之間，部分第二電極位于所述P型元件的第一側(cè)，部分第二電極位于所述N型元件的第三側(cè)，所述第一電極位于所述P型元件的第二側(cè)以及所述N型元件的第四側(cè)。
10.一種熱電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，其特征在于，包括：權(quán)利要求1至8任意一項所述的熱電轉(zhuǎn)換器件。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院工程熱物理研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院工程熱物理研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210084060.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L35-00 包含有一個不同材料結(jié)點的熱電器件，即顯示出具有或不具有其他熱電效應(yīng)或其他熱磁效應(yīng)的Seebeck效應(yīng)或Peltier 效應(yīng)的熱電器件；專門適用于制造或處理這些熱電器件或其部件的方法或設(shè)備；這些熱電器件
H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .結(jié)點引出線材料的選擇
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應(yīng)進(jìn)行工作的
H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點處進(jìn)行熱交換的方法區(qū)分的
- 圖像轉(zhuǎn)換設(shè)備、圖像轉(zhuǎn)換電路及圖像轉(zhuǎn)換方法
- 數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換設(shè)備和轉(zhuǎn)換方法
- 占空比轉(zhuǎn)換電路及轉(zhuǎn)換方法
- 通信轉(zhuǎn)換方法、轉(zhuǎn)換裝置及轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換和模數(shù)轉(zhuǎn)換方法
- 轉(zhuǎn)換模塊以及轉(zhuǎn)換電路
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件和熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊
- 熱電轉(zhuǎn)換材料、熱電轉(zhuǎn)換元件及熱電轉(zhuǎn)換模塊
