[發明專利]保護膜形成用膜

在審

• 申請號: 202210081725.2
• 申請日: 2022-01-24
• 公開（公告）號: CN115132671A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 山下茂之;山本大輔;中石康喜
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/544
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;謝順星

1.一種保護膜形成用膜，其中，

所述保護膜形成用膜相對于在以CIE1976L^*a^*b^*表色系規定的坐標中明度L^*為37.9、色度a^*為-0.36、色度b^*為-2.6的顏色的、以下述式表示的色差ΔE^*_ab為17以上，

ΔE^*_ab＝[(ΔL^*)²+(Δa^*)²+(Δb^*)²]^1/2。

2.根據權利要求1所述的保護膜形成用膜，其貼附在收納于載帶中的半導體芯片上，

所述保護膜形成用膜相對于以CIE1976L^*a^*b^*表色系表示的所述載帶的顏色的色差ΔE^*_ab為17以上。

3.根據權利要求1或2所述的保護膜形成用膜，其以CIE1976L^*a^*b^*表色系規定的明度L^*為22以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的保護膜形成用膜，其中，固化后的保護膜相對于以CIE1976L^*a^*b^*表色系表示的明度L^*為37.9、色度a^*為-0.36、色度b^*為-2.6的顏色的色差ΔE^*_ab為17以上。

5.一種保護膜形成用片，其具備權利要求1～4中任一項所述的保護膜形成用膜與支撐片。

6.一種收納結構，其為將具備保護膜的半導體芯片收納于載帶中的半導體芯片的收納結構，其中，

所述保護膜相對于以CIE1976L^*a^*b^*表色系表示的所述載帶的顏色的、以下述式表示的色差ΔE^*_ab為17以上，

ΔE^*_ab＝[(ΔL^*)²+(Δa^*)²+(Δb^*)²]^1/2。

7.一種半導體芯片的探測方法，其為收納于載帶中的半導體芯片的探測方法，其中，

所述半導體芯片具備保護膜，所述保護膜相對于以CIE1976L^*a^*b^*表色系表示的所述載帶的顏色的、以下述式表示的色差ΔE^*_ab為17以上，

ΔE^*_ab＝[(ΔL^*)²+(Δa^*)²+(Δb^*)²]^1/2

所述半導體芯片的探測方法包括：在俯視下，探測收納于所述載帶中的所述半導體芯片的工序。