[發(fā)明專利]保護膜形成用膜在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210081668.8 | 申請日: | 2022-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN115132634A | 公開(公告)日: | 2022-09-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 山下茂之;山本大輔;中石康喜 | 申請(專利權(quán))人: | 琳得科株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 張晶;謝順星 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 保護膜 形成 | ||
1.一種保護膜形成用膜,其為在其表面進行激光印字的保護膜形成用膜,其中,
將印字部的顏色設(shè)為以CIE1976L*a*b*表色系規(guī)定的坐標中的明度L*p、色度a*p、色度b*p,并將非印字部的顏色設(shè)為以CIE1976L*a*b*表色系規(guī)定的坐標中的明度L*N、色度a*N、色度b*N時,
以下述式(A)定義的印字部與非印字部的色差ΔE*ab為8以上,
ΔE*ab=[(L*p-L*N)2+(a*p-a*N)2+(b*p-b*N)2]1/2···(A)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護膜形成用膜,其中,以下述式(B)定義的印字部與非印字部的明度差ΔL*為8以上,
ΔL*=[(L*p-L*N)2]1/2···(B)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的保護膜形成用膜,其中,所述印字部的明度L*p與非印字部的明度L*N滿足L*p>L*N。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的保護膜形成用膜,其中,所述印字部的顏色及非印字部的顏色為:進行激光印字后將保護膜形成用膜加熱至130℃而使其固化后所測定的顏色。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的保護膜形成用膜,其中,所述印字部的顏色及非印字部的顏色為:進行激光印字后將保護膜形成用膜加熱至180℃而使其固化后,進一步進行三次260℃的10.8分鐘的加熱后所測定的顏色。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的保護膜形成用膜,其中,所述印字部包含線寬為50μm以下的部分。
7.一種保護膜形成用片,其具備權(quán)利要求1~6中任一項所述的保護膜形成用膜與支撐片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





