[發(fā)明專利]一種高性能δ-CsPbI3

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210078682.2
• 申請(qǐng)日: 2022-01-24
• 公開（公告）號(hào): CN114824066A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許佳;姚建曦;姚程亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華北電力大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 北京眾合誠成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 張文寶

1.一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器，其特征在于，所述δ-CsPbI₃薄膜憶阻器的結(jié)構(gòu)從下至上依次為：FTO導(dǎo)電玻璃基底、底電極Ag膜、AgO_x界面層、δ-CsPbI₃薄膜、頂電極Ag膜；整體結(jié)構(gòu)形式為：FTO/Ag/AgO_x/δ-CsPbI₃/Ag。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器，其特征在于，所述AgO_x界面層為無定形AgO_x材料，為底電極Ag膜在空氣環(huán)境下自然氧化所得，厚度在5～10nm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器，其特征在于，所述AgO_x界面層為底電極Ag膜放置于室內(nèi)環(huán)境中3天以上，使底電極Ag膜表面暗淡，不再光亮。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器，其特征在于，所述δ-CsPbI₃薄膜厚度為150nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器，其特征在于，底電極Ag膜與頂電極Ag膜厚度均控制在100nm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器，其特征在于，所述FTO導(dǎo)電玻璃基底，為整個(gè)憶阻器提供硬質(zhì)基底，也為測(cè)量中底電極Ag膜提供導(dǎo)電接線位置。

7.一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)在FTO表面采用真空蒸鍍法制備底電極Ag膜；

2)將蒸鍍好的Ag膜底電極自然氧化3天以上，在其表面得到AgO_x界面層；

3)在AgO_x界面層表面采用旋涂、配合后退火方法制備δ-CsPbI₃薄膜；

4)在δ-CsPbI₃薄膜表面，采用真空熱蒸鍍鍍膜方法制備Ag膜頂電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器的制備方法，其特征在于，所述步驟3)利用等摩爾比的CsI和PbI₂溶解于有機(jī)溶劑DMSO中加熱攪拌得到的CsPbI₃前驅(qū)體溶液，旋涂前進(jìn)行加熱攪拌。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高性能δ-CsPbI₃薄膜憶阻器的制備方法，其特征在于，所述步驟3)δ-CsPbI₃薄膜的制備過程為：將步驟2)得到的FTO/Ag/AgO_x基底預(yù)熱，并將CsPbI₃前驅(qū)體溶液旋涂AgO_x界面層上，通過設(shè)置旋涂轉(zhuǎn)速和時(shí)間控制δ-CsPbI₃薄膜厚度；旋涂完成后，進(jìn)行加熱退火。