[發明專利]一種單光子雪崩二極管性能參數的計算方法在審
| 申請號: | 202210071445.3 | 申請日: | 2022-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN114492278A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 何蕤;蘭瀟健;劉超暉;馬四光 | 申請(專利權)人: | 季華實驗室 |
| 主分類號: | G06F30/367 | 分類號: | G06F30/367;G06F111/08;G06F111/10 |
| 代理公司: | 北京開陽星知識產權代理有限公司 11710 | 代理人: | 李晶 |
| 地址: | 528200 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光子 雪崩 二極管 性能參數 計算方法 | ||
1.一種單光子雪崩二極管性能參數的計算方法,其特征在于,包括:
建立單光子雪崩二極管仿真模型進行仿真計算;
基于所述仿真計算的結果,得出沿著所述單光子雪崩二極管長度方向上不同位置的性能參數值;
所述性能參數值包括光子探測效率和/或暗計數;
對所述單光子雪崩二極管不同位置的所述性能參數值進行線積分計算;
確定線積分計算結果為所述單光子雪崩二極管的性能參數值。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述仿真計算的結果,得出沿著所述單光子雪崩二極管長度方向上不同位置的性能參數值,包括:
基于所述仿真計算的結果,獲取沿著所述單光子雪崩二極管長度方向上,在同一位置處不同高度對應的雪崩觸發概率數據;
根據所述雪崩觸發概率數據,確定所述單光子雪崩二極管在對應位置的性能參數值。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于所述仿真計算的結果,獲取沿著所述單光子雪崩二極管長度方向上,在同一位置處不同高度對應的雪崩觸發概率數據,包括:
從所述仿真計算的結果中,獲取沿著所述單光子雪崩二極管長度方向上,在同一位置處不同高度對應的實際雪崩觸發概率數據;
從所述實際雪崩觸發概率數據中確定有效雪崩觸發概率數據;
所述根據所述雪崩觸發概率數據,確定所述單光子雪崩二極管在對應位置的性能參數值,包括:
根據所述有效雪崩觸發概率數據,確定所述單光子雪崩二極管在對應位置的性能參數值。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述從所述實際雪崩觸發概率數據中確定有效雪崩觸發概率數據,包括:
以所述單光子雪崩二極管的長度和高度為依據構建幾何模型;
確定坐標值在所述幾何模型范圍內的所述實際雪崩觸發概率數據為所述有效雪崩觸發概率數據;
每個所述實際雪崩觸發概率數據對應有沿著所述單光子雪崩二極管的長度方向的坐標值和高度方向的坐標值。
5.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述從所述實際雪崩觸發概率數據中確定有效雪崩觸發概率數據,包括:
獲取沿著所述單光子雪崩二極管長度方向上,在同一位置處不同高度對應的實際雪崩觸發概率數據中的最大值;
當所述最大值大于等于第一預設值時,確定對應位置的所述實際雪崩觸發概率數據為所述有效雪崩觸發概率數據。
6.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述根據所述雪崩觸發概率數據,確定所述單光子雪崩二極管在對應位置的性能參數值,包括:
獲取在所述同一位置處雪崩觸發概率數據沿著高度值變化的曲線;
從所述曲線上確定對所述雪崩觸發概率數據進行線積分計算時的積分上限和積分下限;
根據所述積分上限和所述積分下限,對所述同一位置處不同高度對應的雪崩觸發概率數據進行線積分計算;
根據所述線積分計算的結果,確定所述單光子雪崩二極管在對應位置的性能參數值。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述從所述曲線上確定對所述雪崩觸發概率數據進行線積分計算時的積分上限和積分下限,包括:
確定所述曲線上前后斜率的比值大于第二預設值時的點為實際斜率突變點;
從所述實際斜率突變點中確定有效斜率突變點;
根據所述有效斜率突變點確定對所述雪崩觸發概率數據進行線積分計算時的積分上限和積分下限。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于季華實驗室,未經季華實驗室許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210071445.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





