[發(fā)明專利]晶片升降銷系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210070491.1 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114695242A | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳與辰;徐伊芃;吳政隆;朱延安;白峻榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 李春秀 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 升降 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明實(shí)施例涉及晶片升降銷系統(tǒng)。晶片升降銷系統(tǒng)能夠動(dòng)態(tài)地調(diào)整或調(diào)節(jié)流入和流出晶片升降銷系統(tǒng)的升降銷的氣體流量,以在將氣體供應(yīng)到升降銷的供應(yīng)管線中達(dá)到并維持一致的壓力。這使晶片升降銷系統(tǒng)能夠精確地控制升降銷的速度、加速度和減速度,以使升降銷達(dá)到一致且可重復(fù)的上升和下降時(shí)間。控制器以及各種傳感器和閥可以根據(jù)各種因素,例如歷史上升時(shí)間、歷史下降時(shí)間及/或升降銷的狀況,來控制晶片升降銷系統(tǒng)中的氣壓。這使得升降銷能夠更順暢且受控地自動(dòng)操作,從而減少及/或最小化晶片移位和晶片不穩(wěn)定性,這可以減少工藝缺陷并維持或提高工藝良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及晶片升降銷系統(tǒng)。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體晶片可以在半導(dǎo)體制造設(shè)施中的各種半導(dǎo)體處理工具中處理,以產(chǎn)生各種集成電路及/或半導(dǎo)體元件。可以將半導(dǎo)體晶片放置在例如蝕刻工具或沉積工具的半導(dǎo)體處理工具的處理腔室中,以在其上執(zhí)行一或多個(gè)半導(dǎo)體處理步驟。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,一種使用半導(dǎo)體工具的方法包括:通過包括在晶片升降銷系統(tǒng)中的壓力傳感器,將壓力傳感器數(shù)據(jù)提供給包括在所述晶片升降銷系統(tǒng)中的控制器;通過所述控制器并根據(jù)所述壓力傳感器數(shù)據(jù),確定氣體正被供應(yīng)到所述晶片升降銷系統(tǒng);通過所述控制器并根據(jù)確定所述氣體正被供應(yīng)到所述晶片升降銷系統(tǒng)而對(duì)包括在所述晶片升降銷系統(tǒng)中的比例閥傳送壓力設(shè)定的指示;及通過所述比例閥提供所述氣體的供應(yīng)到一或多個(gè)升降銷,以使所述一或多個(gè)升降銷升高以支撐在所述一或多個(gè)升降銷上的半導(dǎo)體晶片,其中所述比例閥調(diào)節(jié)向所述一或多個(gè)升降銷的所述氣體的所述供應(yīng),從而大約在所述壓力設(shè)定時(shí)將所述氣體供應(yīng)到所述一或多個(gè)升降銷。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,一種晶片升降銷系統(tǒng)包括:壓力傳感器,其經(jīng)布置以生成與到包括在所述晶片升降銷系統(tǒng)中的存儲(chǔ)箱的氣體的第一供應(yīng)流相關(guān)聯(lián)的壓力傳感器數(shù)據(jù);所述存儲(chǔ)箱經(jīng)布置以接收所述氣體的所述第一供應(yīng)流并存儲(chǔ)所述氣體;比例閥,其經(jīng)布置以選擇性地:提供所述存儲(chǔ)箱中的所述氣體的第二供應(yīng)流給包括在所述晶片升降銷系統(tǒng)中的一多個(gè)升降銷,或從所述多個(gè)升降銷上排凈氣體;及控制器,其經(jīng)布置以:有選擇地確定:所述比例閥將所述存儲(chǔ)箱中的所述氣體的所述第二供應(yīng)流提供給所述多個(gè)升降銷的第一壓力,或所述比例閥將所述多個(gè)升降銷中的所述氣體排凈的第二壓力。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,一種使用半導(dǎo)體工具的方法包括:通過包括在晶片升降銷系統(tǒng)中的壓力傳感器,生成與所述晶片升降銷系統(tǒng)中的氣體相關(guān)聯(lián)的壓力傳感器數(shù)據(jù);通過所述壓力傳感器將所述壓力傳感器數(shù)據(jù)提供給包括在所述晶片升降銷系統(tǒng)中的控制器;通過所述控制器并根據(jù)所述壓力傳感器數(shù)據(jù)確定所述氣體的第一壓力滿足壓力閾值;通過所述控制器并根據(jù)確定所述氣體的所述第一壓力滿足所述壓力閾值,將第二壓力的指示傳送到包括在所述晶片升降銷系統(tǒng)中的比例閥;及大約在所述第二壓力下,通過所述比例閥從一或多個(gè)升降銷中排凈所述氣體,以使所述一或多個(gè)升降銷收回到晶片載臺(tái)下方,其中,收回所述一或多個(gè)升降銷使被支撐在所述一或多個(gè)升降銷上的半導(dǎo)體晶片降低到所述晶片載臺(tái)上。
附圖說明
從結(jié)合附圖閱讀的以下詳細(xì)描述最佳理解本揭露的方面。應(yīng)注意,根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)做法,各種構(gòu)件未按比例繪制。實(shí)際上,為使討論清楚,可任意增大或減小各種構(gòu)件的尺寸。
圖1A和1B是本文所描述的示例晶片升降銷系統(tǒng)圖。
圖2A-2D是本文所描述的示例實(shí)施方案圖。
圖3A-3D是本文所描述的示例實(shí)施方案圖。
圖4A和4B是示例晶片升降銷系統(tǒng)測(cè)試周期數(shù)據(jù)圖。
圖5是圖1A和1B的一或多個(gè)設(shè)備的示例組件圖。
圖6和7是與操作晶片升降銷系統(tǒng)有關(guān)的示例處理過程流程圖。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





