[發明專利]適用于直寫式3D打印的單組份硅膠介質、制備方法及應用

有效

• 申請號: 202210069440.7
• 申請日: 2022-01-21
• 公開（公告）號: CN114381127B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 李深;嚴俊秋;朱曉艷;陳小朋
• 申請（專利權）人: 芯體素（杭州）科技發展有限公司
• 主分類號: C08L83/07
• 分類號: C08L83/07;C08L83/05;C08K3/36;C08K3/22;C08K3/04;B33Y70/10
• 代理公司: 杭州匯和信專利代理有限公司 33475
• 代理人: 薛文玲

1.一種適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質，其特征在于，所述單組份硅膠介質的粘度為200～1000Pa·s，在室溫下存放超30天粘度變化值≤10％，其制備方法包括混合含碳雙鍵的聚硅氧烷和增粘劑在鉑金催化劑的作用下，置于合適溫度下發生交聯反應形成一定的網絡狀交聯體，加入阻聚劑停止進一步交聯的發生，其中所述增粘劑為：HO-Si(CH₃)₂O[Si(CH₃)₂O]_nSi(CH₃)₂-OH，n＝3～8，六甲基環三硅氧烷(D3)，八甲基環四硅氧烷(D4)，十甲基環五硅氧烷(D5)，二甲基硅氧烷混合環體(DMC)中的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質，其特征在于，由以下方法制備得到：

S1:混合含碳雙鍵的聚硅氧烷、增粘劑以及鉑金催化劑得到第一混合料；

S2:升溫所述第一混合料保持第一時長，加入阻聚劑保持第二時長得到第二

混合料；

S3:降溫所述第二混合料，混合所述第二混合料和含氫聚硅氧烷得到第三混合料；

S4:混合所述第三混合料和無機納米填料得到第四混合料；

S5:對所述第四混合料依次進行真空脫泡、加壓過濾，得到單組份硅膠介

質。

3.一種適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1:混合含碳雙鍵的聚硅氧烷、增粘劑以及鉑金催化劑得到第一混合料，其中所述增粘劑為：HO-Si(CH₃)₂O[Si(CH₃)₂O]_nSi(CH₃)₂-OH，n＝3～8，六甲基環三硅氧烷(D3)，八甲基環四硅氧烷(D4)，十甲基環五硅氧烷(D5)，二甲基硅氧烷混合環體(DMC)中的一種或多種；

S2:升溫所述第一混合料保持第一時長，加入阻聚劑保持第二時長得到第二混合料；

S3:降溫所述第二混合料，混合所述第二混合料和含氫聚硅氧烷得到第三混合料；

S4:混合所述第三混合料和無機納米填料得到第四混合料；

S5:對所述第四混合料依次進行真空脫泡、加壓過濾，得到單組份硅膠介質。

4.根據權利要求3所述的適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質的制備方法，其特征在于，所述含碳雙鍵的聚硅氧烷為乙烯基聚硅氧烷、甲基乙烯基聚硅氧烷、甲基苯基乙烯基聚硅氧烷中的至少一種。

5.根據權利要求3所述的適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質的制備方法，其特征在于，所述含氫聚硅氧烷為甲基含氫聚硅氧烷、甲基苯基含氫聚硅氧烷、甲基含氫硅樹脂、苯基含氫硅樹脂中的至少一種。

6.根據權利要求3所述的適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質的制備方法，其特征在于，所述鉑金催化劑為：氯鉑酸或者是氯鉑酸與鏈烯烴、環烷烴、醇、酯、酮、醚形成的絡合物中的至少一種。

7.根據權利要求3所述的適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質的制備方法，其特征在于，所述阻聚劑為碳數15個的炔醇。

8.根據權利要求3所述的適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述第一混合料升溫至50-80℃，步驟S3中第二混合料降溫至50℃以下。

9.一種單組份硅膠介質的應用，其特征在于，將根據權利要求1到2任一所述的適用于直寫式3D打印工藝的單組份硅膠介質應用于直寫式3D打印，打印的線寬在1～200μm，適用于高寬比大于0.5的線條打印。