[發(fā)明專利]一種高性能的有源低通濾波器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210068240.X | 申請日： | 2022-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN114826204A | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭文鍇;李俊;陳志堅;王彥杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號： | H03H11/04 | 分類號： | H03H11/04 |
| 代理公司： | 廣州海心聯(lián)合專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黃為;冼俊鵬 |
| 地址： | 510641 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 性能 有源 濾波器 | ||
1.一種高性能的有源低通濾波器，包括結(jié)構(gòu)相同的P路濾波單元(S1)和N路濾波單元(S2)，兩路濾波單元的輸入互為差分輸入；
其特征在于，
還設(shè)置第一MOS電容(MC1)和第二MOS電容(MC2)；
所述的第一MOS電容(MC1)襯底端連接P路濾波單元(S1)的信號輸出端，門極端連接N路濾波單元(S2)的信號輸入端，所述的第一MOS電容(MC1)用于抵消P路濾波單元(S1)的信號輸入端與自身信號輸出端之間的寄生電容；
所述的第二MOS電容(MC2)襯底端連接N路濾波單元(S2)的信號輸出端，門極端連接P路濾波單元(S1)的信號輸入端，所述的第二MOS電容(MC2)用于抵消N路濾波單元(S2)的信號輸入端與自身信號輸出端之間的寄生電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高性能的有源低通濾波器，其特征在于，設(shè)有共模反饋單元(S4)；
所述的P路濾波單元(S1)包括P路第一MOS管(M1P)、P路第二MOS管(M2P)、P路第一電容陣列(C1P)和P路第二電容陣列(C2P)；P路第一MOS管(M1P)漏極連接共模反饋單元(S4)的P路共模輸入信號(VxP)，P路第一MOS管(M1P)源極作為信號輸出端，P路第一MOS管(M1P)柵極作為信號輸入端；P路第二MOS管(M2P)漏極連接P路第一MOS管(M1P)源極，P路第二MOS管(M2P)源極接地，P路第二MOS管(M2P)柵極連接P路第一MOS管(M1P)漏極；P路第一電容陣列(C1P)并聯(lián)在P路第一MOS管(M1P)的源漏之間，P路第二電容陣列(C2P)并聯(lián)在P路第二MOS管(M2P)的源漏之間；
所述的N路濾波單元(S2)包括N路第一MOS管(M1N)、N路第二MOS管(M2N)、N路第一電容陣列(C1N)和N路第二電容陣列(C2N)；N路第一MOS管(M1N)漏極連接共模反饋單元(S4)的N路共模輸入信號(VxN)，N路第一MOS管(M1N)源極作為信號輸出端，N路第一MOS管(M1N)柵極作為信號輸入端；N路第二MOS管(M2N)漏極連接N路第一MOS管(M1N)源極，N路第二MOS管(M2N)源極接地，N路第二MOS管(M2N)柵極連接N路第一MOS管(M1N)漏極；N路第一電容陣列(C1N)并聯(lián)在N路第一MOS管(M1N)的源漏之間，N路第二電容陣列(C2N)并聯(lián)在N路第二MOS管(M2N)的源漏之間。
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