[發明專利]一種無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法

有效

• 申請號: 202210067325.6
• 申請日: 2022-01-20
• 公開（公告）號: CN114512474B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 朱其壯;倪飛龍;蔣海洋;金科;呂軍
• 申請（專利權）人: 蘇州科陽半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/66;H01L23/04
• 代理公司: 南京智造力知識產權代理有限公司 32382
• 代理人: 田玉菲

1.一種無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，

提供一集成無源器件的第二晶圓（100），在所述第二晶圓（100）上制作通孔（106），所述通孔（106）的位置與濾波器的電極位置相對應；對第二晶圓（100）背面進行減薄后，將第二晶圓（100）切割分離成多個集成無源器件的芯片；將第二晶圓（100）切割分離成單個芯片的過程中，首先將減薄后的第二晶圓（100）貼在切割UV膠帶（108）上，然后拆掉研磨保護襯底（107），利用激光切割或機械切割工藝沿著切割位置（109）將第二晶圓（100）分離成單顆的集成無源器件的芯片；

提供一承載濾波器的第一晶圓（110），在濾波器第一晶圓（110）上制作圍堰（113），所述圍堰（113）暴露出濾波器的電極（111）和關鍵功能區（112）；

將集成無源器件的芯片和第一晶圓（110）上的濾波器位置一一對應得堆疊在濾波器第一晶圓（110）上；集成無源器件的芯片和圍堰（113）一起組成了一個保護濾波器芯片關鍵功能區（112）的空腔；且無源集成器件上的通孔（106）位置對應圍堰暴露濾波器的電極（111）的位置；

在堆疊的集成無源器件的芯片和第一晶圓（110）上制作鈍化層（114），并暴露出濾波器電極（111）的位置和無源集成器件電感（103）和電容（105）的引腳位置；

制作金屬互聯線（115）將濾波器的電極（111）和無源集成器件引腳引出到表面，再在金屬互聯位置和無源集成器件引腳上制作凸點（116）；然后切割分離并封裝。

2.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，所述第一晶圓（110）的材質為半導體材料、壓電材料或非金屬材料，第二晶圓（100）的材質為半導體材料、非金屬材料。

3.根據權利要求2所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，所述半導體材料為硅、Ge、GaAs或SiC，所述壓電材料為LiTaO3、LiNbO3或AlN，所述非金屬材料為玻璃或陶瓷。

4.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，集成有無源器件的第二晶圓是通過PVD、PECVD、CVD、CMP、光刻和刻蝕工藝在第二晶圓（100）上制作出無源器件，所述無源器件為電感（103）、電阻（104）和/或電容（105）。

5.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，所述通孔（106）采用干法刻蝕、濕法刻蝕或激光打孔加工而成，通孔（106）的直徑＞1μm。

6.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，第二晶圓（100）減薄處理時，在第二晶圓（100）正面貼上用于保護無源集成器件的功能區的研磨保護襯底（107），減薄處理后剩余晶圓厚度＞10μm。

7.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，在將第二晶圓（100）分離成單顆的集成無源器件的芯片后，提供單顆的集成無源器件的芯片的檢驗過程。

8.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，圍堰（113）的制作是通過光刻工藝、3D打印、壓印、電鍍或化學鍍方式制作而成，圍堰（113）厚度＞1um，材質為粘附性材料、金屬或有機膜。

9.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，鈍化層（114）的制作是利用光刻工藝、印膠工藝或PECVD工藝制作而成，鈍化層厚度＞1μm。

10.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，金屬互聯線（115）是利用PVD、電鍍、刻蝕或化學鍍工藝制作而成，金屬互聯線（115）的材質是Ti、Cu、Al、Sn、Ag、Ni、W、Mo、Au其中的一種金屬或其合金；厚度＞1μm。

11.根據權利要求1所述的無源器件堆疊濾波器晶圓級封裝方法，其特征在于，凸點（116）是利用電鍍、印刷或燒結金球工藝制作而成，凸點高度＞1μm。