[發明專利]晶圓級扇出封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202210067105.3
• 申請日: 2022-01-20
• 公開（公告）號: CN114429912A
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 鐘磊;李利;張超;何正鴻
• 申請（專利權）人: 甬矽半導體（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 戴堯罡

1.一種晶圓級扇出封裝結構的制備方法，其特征在于，包括：

制備一側加工有第一導電柱的功能芯片；

制備表面加工有第二導電柱的基底晶圓，其中所述基底晶圓上具有芯片貼裝區，所述第二導電柱設置在芯片貼裝區周圍；

將所述功能芯片倒置入所述芯片貼裝區，以使所述第一導電柱與所述基底晶圓連接；

在所述基底晶圓上設置包覆在所述功能芯片和所述第二導電柱外的塑封體；

在所述塑封體上設置與所述第二導電柱連接的晶圓布線層；

在所述晶圓布線層上植球，以形成焊球；

切割所述塑封體和所述基底晶圓；

其中，所述功能芯片和所述基底晶圓同時制備。

2.根據權利要求1所述的晶圓級扇出封裝結構的制備方法，其特征在于，制備一側加工有第一導電柱的功能芯片的步驟，包括：

提供一功能晶圓；

在所述功能晶圓上形成第一導電柱；

切割所述功能晶圓，以形成所述功能芯片。

3.根據權利要求1所述的晶圓級扇出封裝結構的制備方法，其特征在于，制備表面加工有第二導電柱的基底晶圓的步驟，包括：

提供一基底硅片；

在所述基底硅片上進行重布線路工藝，以形成基底線路層；

在所述基底線路層上形成第二導電柱；

其中，所述基底線路層上具有芯片貼裝區和連接導電區，連接導電區圍設在所述芯片貼裝區的周圍，所述第二導電柱設置在所述連接導電區。

4.根據權利要求1所述的晶圓級扇出封裝結構的制備方法，其特征在于，在所述塑封體上設置與所述第二導電柱電連接的晶圓布線層的步驟之前，所述方法還包括：

研磨所述塑封體，以使所述第二導電柱露出。

5.根據權利要求1所述的晶圓級扇出封裝結構的制備方法，其特征在于，切割所述塑封體和所述基底晶圓的步驟之前，所述方法還包括：

研磨所述基底晶圓遠離所述塑封體的一側表面，以減薄所述基底晶圓。

6.根據權利要求5所述的晶圓級扇出封裝結構的制備方法，其特征在于，研磨所述基底晶圓遠離所述塑封體的一側表面的步驟之后，所述方法還包括：

在所述基底晶圓遠離所述塑封體的一側表面設置背膠膜層。

7.根據權利要求1-6任一項所述的晶圓級扇出封裝結構的制備方法，其特征在于，將所述功能芯片倒置入所述芯片貼裝區的步驟，包括：

將多個所述功能芯片倒置入所述芯片貼裝區，以使每個所述功能芯片上的所述第一導電柱與所述基底晶圓連接；

其中，多個所述功能芯片中至少兩個尺寸不同。

8.根據權利要求1-6任一項所述的晶圓級扇出封裝結構的制備方法，其特征在于，將所述功能芯片倒置入所述芯片貼裝區的步驟，包括：

將多個所述功能芯片一一對應地倒置入多個所述芯片貼裝區，以使每個所述功能芯片上的所述第一導電柱與所述基底晶圓連接；

其中，多個所述功能芯片中至少兩個尺寸不同。

9.一種晶圓級扇出封裝結構，其采用如權利要求1-8任一項所述的晶圓級扇出封裝結構的制備方法制備形成，其特征在于，所述晶圓級扇出封裝結構包括：

表面加工有第二導電柱的基底晶圓，其中所述基底晶圓上具有芯片貼裝區，所述第二導電柱設置在芯片貼裝區周圍；

倒置貼裝在所述芯片貼裝區的功能芯片，其中所述功能芯片一側加工有第一導電柱，所述第一導電柱與所述基底晶圓連接；

設置在所述基底晶圓上，并包覆在所述功能芯片和所述第二導電柱外的塑封體；

設置在所述塑封體上，并與所述第二導電柱連接的晶圓布線層；

以及，設置在所述晶圓布線層上的焊球。

10.根據權利要求9所述的晶圓級扇出封裝結構，其特征在于，所述芯片貼裝區內貼裝有多個所述功能芯片，且多個所述功能芯片中至少兩個尺寸不同。

11.根據權利要求9所述的晶圓級扇出封裝結構，其特征在于，所述基底晶圓上設置有多個芯片貼裝區，每個所述芯片貼裝區內均貼裝有所述功能芯片，且多個所述功能芯片中至少兩個尺寸不同。