[發(fā)明專利]一種基于GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的1.7μm鎖模光纖激光器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210066979.7
• 申請(qǐng)日: 2022-01-20
• 公開（公告）號(hào): CN114430140B
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐國(guó)武;張芳騰;趙韋人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01S3/067
• 分類號(hào): H01S3/067
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 向薇

1.一種基于GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器，其特征在于，包括泵浦源、波分復(fù)用器、諧振腔以及隔離器；所述諧振腔包括依次連接的二色鏡、增益光纖和可飽和吸收體；

所述泵浦源發(fā)出的泵浦光通過所述波分復(fù)用器進(jìn)入所述諧振腔，利用所述可飽和吸收體的可飽和吸收效應(yīng)產(chǎn)生鎖模激光脈沖，所述鎖模激光脈沖依次通過所述波分復(fù)用器和所述隔離器，然后輸出；

其中，所述增益光纖為GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖，所述GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的包層為玻璃，纖芯為GaSb單晶半導(dǎo)體；

所述GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的前驅(qū)體光纖采用纖芯熔融法或高壓化學(xué)氣相沉積法制備，再通過電加熱和/或激光加熱熱處理將所述前驅(qū)體光纖的纖芯熔融再結(jié)晶，制備所述GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖；

所述電加熱熱處理的溫度為720℃~760℃，前驅(qū)體光纖下降的速率為4~7 mm/h；

所述激光加熱熱處理的條件包括：激光波長(zhǎng)為532 nm~808 nm，激光功率為1.5 W~2.5W，移動(dòng)速率為3.5~6 mm/h。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器，其特征在于，所述包層為多組分鍺酸鹽玻璃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器，其特征在于，所述纖芯的直徑為3 μm~10 μm，所述GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的直徑為123 μm~127 μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器，其特征在于，所述泵浦源的波長(zhǎng)為808 nm~1064 nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器，其特征在于，所述泵浦源的波長(zhǎng)為808 nm、980 nm或1064 nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的基于GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器，其特征在于，所述1.7 μm鎖模光纖激光器的輸出脈沖波長(zhǎng)在1650 nm ~1750 nm范圍內(nèi)可調(diào)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的一種基于GaSb單晶半導(dǎo)體復(fù)合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器，其特征在于，所述1.7 μm鎖模光纖激光器的基頻重復(fù)頻率在800 MHz~8 GHz范圍內(nèi)可調(diào)。