[發明專利]一種基于GaSb單晶半導體復合光纖的1.7μm鎖模光纖激光器有效
| 申請號: | 202210066979.7 | 申請日: | 2022-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN114430140B | 公開(公告)日: | 2022-12-30 |
| 發明(設計)人: | 唐國武;張芳騰;趙韋人 | 申請(專利權)人: | 廣東工業大學 |
| 主分類號: | H01S3/067 | 分類號: | H01S3/067 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 向薇 |
| 地址: | 510062 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 gasb 半導體 復合 光纖 1.7 激光器 | ||
1.一種基于GaSb單晶半導體復合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器,其特征在于,包括泵浦源、波分復用器、諧振腔以及隔離器;所述諧振腔包括依次連接的二色鏡、增益光纖和可飽和吸收體;
所述泵浦源發出的泵浦光通過所述波分復用器進入所述諧振腔,利用所述可飽和吸收體的可飽和吸收效應產生鎖模激光脈沖,所述鎖模激光脈沖依次通過所述波分復用器和所述隔離器,然后輸出;
其中,所述增益光纖為GaSb單晶半導體復合光纖,所述GaSb單晶半導體復合光纖的包層為玻璃,纖芯為GaSb單晶半導體;
所述GaSb單晶半導體復合光纖的前驅體光纖采用纖芯熔融法或高壓化學氣相沉積法制備,再通過電加熱和/或激光加熱熱處理將所述前驅體光纖的纖芯熔融再結晶,制備所述GaSb單晶半導體復合光纖;
所述電加熱熱處理的溫度為720℃~760℃,前驅體光纖下降的速率為4~7 mm/h;
所述激光加熱熱處理的條件包括:激光波長為532 nm~808 nm,激光功率為1.5 W~2.5W,移動速率為3.5~6 mm/h。
2.根據權利要求1所述的基于GaSb單晶半導體復合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器,其特征在于,所述包層為多組分鍺酸鹽玻璃。
3.根據權利要求1所述的基于GaSb單晶半導體復合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器,其特征在于,所述纖芯的直徑為3 μm~10 μm,所述GaSb單晶半導體復合光纖的直徑為123 μm~127 μm。
4.根據權利要求1所述的基于GaSb單晶半導體復合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器,其特征在于,所述泵浦源的波長為808 nm~1064 nm。
5.根據權利要求4所述的基于GaSb單晶半導體復合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器,其特征在于,所述泵浦源的波長為808 nm、980 nm或1064 nm。
6.根據權利要求1~5任一項所述的基于GaSb單晶半導體復合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器,其特征在于,所述1.7 μm鎖模光纖激光器的輸出脈沖波長在1650 nm ~1750 nm范圍內可調。
7.根據權利要求1~5任一項所述的一種基于GaSb單晶半導體復合光纖的1.7 μm鎖模光纖激光器,其特征在于,所述1.7 μm鎖模光纖激光器的基頻重復頻率在800 MHz~8 GHz范圍內可調。
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