[發明專利]一種復用開關的熔絲熔斷方法及其電路在審
| 申請號: | 202210066004.4 | 申請日: | 2022-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN114489211A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 譚潤欽;阮劍聰;陳彪;殷一文 | 申請(專利權)人: | 深圳市單源半導體有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 向慶寧 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區西麗街道西麗社區打石一*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 開關 熔斷 方法 及其 電路 | ||
1.一種用于熔絲熔斷的電路,包括:
開關,具有第一端、第二端和控制端,其中開關的第一端用于接收輸入電壓,開關的第二端耦接供電電壓端,供電電壓端耦接內部電路以及熔絲熔斷電路;
開關控制電路,接收熔斷信號,當熔斷信號為第一狀態時,開關控制電路控制開關的控制端電壓為第一電壓,開關具有第一導通狀態,用于為內部電路提供供電電源;當熔斷信號為第二狀態時,開關控制電路控制開關的控制端電壓為第二電壓,開關具有第二導通狀態,用于為熔絲熔斷電路提供熔斷電流。
2.如權利開關1所述的電路,其中開關包括N型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管),開關的漏極接收輸入電壓,開關的源極耦接內部電路和熔絲熔斷電路。
3.如權利開關1所述的電路,其中第一狀態為低電平信號,第二狀態為高電平狀態。
4.如權利要求1所述的電路,其中第一電壓小于第二電壓,第一電壓控制下開關的導通電阻高于第二電壓控制下開關的導通電阻。
5.如權利要求1-4任一項所述的電路,其中開關控制電路包括:
第一控制開關,控制端受熔斷信號控制,第一控制開關的第一端接地;
第二控制開關,控制端受熔斷信號控制,第二控制開關的第一端耦接供電電壓端;
穩壓管,穩壓管的陽極耦接第一控制開關的第二端和第二控制開關的第二端,穩壓管的陰極耦接開關的控制端和電流源的輸出端;
當熔斷信號為第一狀態時,第一控制開關導通,第二控制開關關斷,穩壓管的陽極接地,開關的控制端電壓受穩壓管的電壓鉗制,開關處于第一導通狀態;當熔斷信號為第二狀態時,第二控制開關導通,第一控制開關關斷,穩壓管的陽極耦接供電電壓端用于將開關的控制端電壓抬升,開關處于第二導通狀態使導通電阻降低,用于為熔絲熔斷電路提供熔斷電流。
6.如權利要求5所述的電路,其中電流源包括:
電荷泵,輸入端接收輸入電壓;以及
電阻,第一端耦接電荷泵的輸出端,電阻的第二端耦接穩壓管的陰極和開關的控制端。
7.如權利要求6所述的電路,其中當開關處于第一導通狀態下,供電電壓端電壓受穩壓管電壓控制,開關具有第一導通電阻;當開關處于第二導通狀態下,供電電壓端電壓受電荷泵輸出電壓或輸入電壓控制,開關具有第二導通電阻,其中第一導通電阻大于第二導通電阻。
8.如權利要求6所述的電路,其中當開關處于第二導通狀態下,若輸入電壓大于第一閾值,供電電壓端電壓VDD受電荷泵輸出電壓Vcp控制,VDD=Vcp-Vth,其中Vth為開關的固有閾值電壓,若輸入電壓小于第二閾值,供電電壓端電壓VDD受輸入電壓Vin控制,VDD=Vin-Vds,其中Vds為開關的導通壓降,其中第一閾值大于等于第二閾值。
9.一種復用開關的熔絲熔斷方法,包括:
將一開關耦接參考電源端和供電電壓端之間用于形成供電電壓給內部電路供電;以及
通過控制開關的控制端電壓以降低開關的導通電阻用于為熔絲提供熔斷電流。
10.如權利要求9所述的方法,其中控制開關的控制端電壓以降低開關的導通電阻的方法包括控制兩個控制開關的狀態以提高開關的控制端電壓。
11.如權利要求9所述的方法,其中形成供電電壓給內部電路供電的方法包括使開關的控制端電壓具有第一電壓,在供電電壓端產生跟隨第一電壓的供電電壓給內部電路供電。
12.如權利要求9所述的方法,進一步包括:
將開關的控制端耦接至穩壓管的陰極和電荷泵的輸出端;
將第一控制開關耦接在地和穩壓管的陽極之間;
將第二控制開關耦接在供電電壓端和穩壓管的陽極之間;以及
通過控制第二控制開關和第一控制開關的狀態控制在正常工作和提供熔斷電流之間切換。
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