[發(fā)明專利]一種玻璃基材螢石狀抗指紋印及閃光效果蝕刻成型工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210065388.8 | 申請日： | 2022-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN115124249A | 公開（公告）日： | 2022-09-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李勁文;黃忠軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 佛山犀馬精細化工有限公司 |
| 主分類號： | C03C15/00 | 分類號： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 佛山市明高知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44701 | 代理人： | 廖珍珍 |
| 地址： | 528000 廣東省佛*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 玻璃 基材 螢石 指紋 閃光 效果 蝕刻 成型 工藝 | ||
本發(fā)明涉及玻璃深加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種玻璃基材螢石狀抗指紋印及閃光效果蝕刻成型工藝，包括以下步驟：S1，配置蝕刻液：在無機酸中加入氟化鹽，混合均勻，得到混合液；將改性淀粉和硫酸鹽混合均勻，得到粉狀物；在攪拌下，先后將粉狀物和混合液加入水中，之后進行靜置熟化制得蝕刻液；S2，將待蒙砂的玻璃基材表面用清水進行第一次清洗，同時對不需要蒙砂的玻璃基材表面進行保護；S3，將玻璃基材放入蒙砂設(shè)備里，用S1中配制的蝕刻液對玻璃基材表面進行蒙砂40~300秒；S4，將S3中蝕刻完的玻璃基材放入常規(guī)拋光液中3~10分鐘；S5，將拋光之后的玻璃基材表面用清水進行第二次清洗，得到成品。通過使玻璃表面形成螢石狀結(jié)晶，實現(xiàn)抗指紋和閃光效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及玻璃深加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種玻璃基材螢石狀抗指紋印及閃光效果蝕刻成型工藝。
背景技術(shù)
隨著智能手機的發(fā)展，人們越來越注重手機的美觀和握持體驗，越來越多的手機廠商開始將手機的背蓋材質(zhì)轉(zhuǎn)換成玻璃材質(zhì)。玻璃材質(zhì)的背蓋，在提高手機接收信號能力的同時，在生產(chǎn)工藝上，通過使用化學(xué)蝕刻液對玻璃基材進行蒙砂，可以使玻璃表面霧化，達到一定的抗指紋印效果。
現(xiàn)有技術(shù)中，雖然保持了對玻璃基材的抗指紋印效果，但玻璃基材表面單一，不夠美觀，導(dǎo)致成品的差異化不大，不能滿足部分消費者的要求。為了解決上述問題，有必要對現(xiàn)有工藝進行改進。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明提供一種玻璃基材螢石狀抗指紋印及閃光效果蝕刻成型工藝。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種玻璃基材螢石狀抗指紋印及閃光效果蝕刻成型工藝，包括以下步驟：
S1，配置蝕刻液：在無機酸中加入氟化鹽，混合均勻，得到混合液；將改性淀粉和硫酸鹽混合均勻，得到粉狀物；在攪拌下，先后將粉狀物和混合液加入水中，之后進行靜置熟化制得蝕刻液；
S2，將待蒙砂的玻璃基材表面用清水進行第一次清洗，同時對不需要蒙砂的玻璃基材表面進行保護；
S3，將玻璃基材放入蒙砂設(shè)備里，用S1中配制的蝕刻液對玻璃基材表面進行蒙砂40~300秒；
S4，將S3中蝕刻完的玻璃基材放入常規(guī)拋光液中3~10分鐘；
S5，將拋光之后的玻璃基材表面用清水進行第二次清洗，得到成品。
本發(fā)明的思路是：改性淀粉和硫酸鹽混合之后的粉狀物加入水中，形成糊狀顆粒，糊狀顆粒均勻分布在水中，再加入由無機酸與氟化鹽結(jié)合形成蝕刻的有效混合液，制得蝕刻液。在蝕刻過程中，糊狀顆粒附著在玻璃基材表面，使得被糊狀顆粒附著的玻璃基材表面被遮蓋保護，而沒有被遮蓋保護的玻璃基材表面則被蝕刻液中的有效組分蝕刻，從而在玻璃基材表面均勻分布螢石狀結(jié)晶，通過螢石狀結(jié)晶把手指指紋的紋路盡量分散化，從而實現(xiàn)抗指紋印效果；螢石狀結(jié)晶為多面結(jié)構(gòu)，經(jīng)處理后的玻璃基材表面在陽光或燈光下，多面結(jié)構(gòu)的螢石狀結(jié)晶一方面將光線折射，另一方面將光線往不同的方向反射，從而實現(xiàn)閃光效果，實現(xiàn)差異化。
進一步的，所述的蝕刻液包括以下重量份的組分：15-45份的氟化鹽，3-5份的硫酸鹽，0.5-2.5份的改性淀粉，40-50份的無機酸，10-20份的水。
進一步的，所述氟化鹽包括氟化氫銨和氟化鈉的一種或兩種。
進一步的，所述硫酸鹽包括硫酸銨。
進一步的，所述無機酸包括鹽酸或硫酸。
進一步的，S1中熟化時間為24h，熟化過程中每間隔3h攪拌一次，使得蝕刻液更均勻。
進一步的，S3中蒙砂時保持蝕刻液溫度為25~30℃，并且蝕刻液溫差控制在3%以內(nèi)。
進一步的，采用所述成型工藝對玻璃基材表面進行蒙砂后，玻璃基材表面均勻分布具有抗指紋印及閃光效果的螢石狀結(jié)晶。
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