[發明專利]半導體結構和形成半導體結構的方法

在審

• 申請號: 202210064658.3
• 申請日: 2022-01-20
• 公開（公告）號: CN114975383A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 陳承先;許國經;林威宏;黃暉閔;鄭明達;李明機
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/538;H01L21/50
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體結構的方法，包括：

形成重建封裝襯底，包括：

將多個襯底塊放置在載體上方；

將所述多個襯底塊密封在密封劑中；

平坦化所述密封劑和所述多個襯底塊以暴露位于所述多個襯底塊中的再分布線；以及

形成與所述多個襯底塊和密封劑重疊的再分布結構；以及

在所述重建封裝襯底上方接合第一封裝組件。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

將封裝襯底帶切割成分離的襯底塊，其中，放置在所述載體上方的所述多個襯底塊中的至少一個在所述分離的襯底塊之中。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個襯底塊中的兩個彼此相同。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個襯底塊沒有有源器件和無源器件。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述載體上方形成金屬柱，其中，將所述金屬柱密封在所述密封劑中，并且所述平坦化還暴露所述金屬柱。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括：

將所述載體從所述多個襯底塊和所述密封劑剝離；以及

在所述重建封裝襯底上形成導電部件，其中，所述導電部件和所述再分布結構通過所述金屬柱電互連。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

將額外的封裝組件放置在所述載體上方，其中，將所述額外的封裝組件密封在所述密封劑中，并且通過所述平坦化暴露所述額外的封裝組件，并且其中所述額外的封裝組件包括器件管芯或集成無源器件。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述再分布結構上方接合第二封裝組件，其中，所述第一封裝組件和所述第二封裝組件分別與所述多個襯底塊中的第一個和第二個重疊。

9.一種半導體結構，包括：

重建封裝襯底，所述重建封裝襯底包括：

多個襯底塊，每個襯底塊包括在其中的第一多個再分布線；

密封劑，將所述多個襯底塊密封在其中，其中，所述多個襯底塊通過所述密封劑的一些部分彼此分隔開；

再分布結構，與所述多個襯底塊和所述封裝劑重疊，其中，所述再分布結構包括在其中的第二多個再分布線；以及

多個導電部件，位于所述再分布結構的下面并通過所述多個襯底塊電連接至所述再分布結構；以及

第一器件管芯，置于所述重建封裝襯底的上面并接合至所述重建封裝襯底。

10.一種半導體結構，包括：

第一介電層；

多個導電部件，位于所述第一介電層中；

密封劑，置于所述第一介電層的上面并且接觸所述第一介電層；

多個襯底塊，貫穿所述封裝劑，其中，所述多個襯底塊置于所述第一介電層的上面并且接觸所述第一介電層；

第二介電層，位于所述多個襯底塊和所述密封劑的上方并且接觸所述多個襯底塊和所述密封劑；以及

多個再分布線，延伸至所述第二介電層中，其中，所述多個再分布線通過所述多個襯底塊電連接至所述多個導電部件。