[發明專利]充電管理電路以及包含其的充電電路

有效

• 申請號: 202210064044.5
• 申請日: 2022-01-20
• 公開（公告）號: CN114421566B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 朱寧
• 申請（專利權）人: 瀚昕微電子（無錫）有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H02J7/02
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 金學來;羅朗

1.一種充電管理電路，其特征在于，所述充電管理電路與反激電路連接，所述反激電路用于向負載充電，變壓器的初級側包括與初級線圈串聯的第一開關器件，次級側包括NMOS管；

所述充電管理電路用于檢測所述NMOS管的漏極與源極之間的第一電壓以及柵極與源極之間的第二電壓，并在所述第一電壓大于第一閾值且所述第二電壓大于第二閾值的情況下輸出第一保護信號和第二保護信號，所述第一保護信號用于指示所述第一開關器件斷開，所述第二保護信號用于指示所述NMOS管斷開；

其中，所述第一閾值基于所述NMOS管斷開時初級側的電壓、所述變壓器的變比以及所述反激電路的輸出電壓確定，所述第二閾值基于所述NMOS管的開啟電壓確定。

2.如權利要求1所述的充電管理電路，其特征在于，所述反激電路具體用于通過第二開關器件向所述負載充電；

所述充電管理電路還用于在所述第一電壓大于第一閾值且所述第二電壓大于第二閾值的情況下控制所述第二開關器件斷開。

3.如權利要求1所述的充電管理電路，其特征在于，所述充電管理電路與所述負載連接，用于控制所述反激電路向所述負載輸出的功率，并在所述第一電壓小于第三閾值且所述第二電壓小于第四閾值的情況下降低向所述負載輸出的功率；其中，所述第三閾值基于所述NMOS管內置二極管的導通壓降確定，所述第四閾值基于所述NMOS管的開啟電壓確定。

4.如權利要求1所述的充電管理電路，其特征在于，所述反激電路的次級側還包括SR控制芯片；

所述充電管理電路包括PD協議控制芯片，用于檢測所述NMOS管的漏極與源極之間的第一電壓以及柵極與源極之間的第二電壓，并在所述第一電壓大于第一閾值且所述第二電壓大于第二閾值的情況下向所述SR控制芯片輸出所述第二保護信號；

所述SR控制芯片用于向所述NMOS管的柵極發送控制信號，并在接收到所述第二保護信號的情況下控制所述NMOS管斷開。

5.如權利要求1所述的充電管理電路，其特征在于，所述充電管理電路包括PD協議控制芯片，用于向所述NMOS管的柵極發送控制信號，并檢測所述NMOS管的漏極與源極之間的第一電壓以及柵極與源極之間的第二電壓。

6.如權利要求4或5所述的充電管理電路，其特征在于，所述PD協議控制芯片還用于在所述第一電壓大于第一閾值且所述第二電壓大于第二閾值的情況下廣播信息，所述信息用于指示充電發生異常和/或充電發生異常的原因。

7.如權利要求4或5所述的充電管理電路，其特征在于，所述PD協議控制芯片包括控制單元、第一比較器、第二比較器、與門、開關；

所述第一比較器的同相輸入端分別與所述第一電壓以及開關的一端連接，反相輸入端連接所述第一閾值的電壓，輸出端與所述與門的第一輸入端連接；所述開關的另一端接地；

所述第二比較器的同相輸入端連接所述第二電壓，反相輸入端連接所述第二閾值的電壓，輸出端與所述與門的第二輸入端連接；

所述控制單元與所述與門的輸出端連接，并在檢測到所述與門輸出高電平信號的情況下控制所述開關閉合，以使所述NMOS管斷開；以及輸出所述第一保護信號。

8.一種充電電路，其特征在于，包括反激電路和如權利要求1-7中任一項所述的充電管理電路，所述反激電路與所述充電管理電路連接。

9.如權利要求8所述的充電電路，其特征在于，所述反激電路的次級側中，電容的一端與NMOS管的漏極連接，所述NMOS管的源極和次級線圈的一端連接，所述次級線圈的另一端與所述電容的另一端均接地；其中，所述次級線圈的一端與初級線圈中與第一開關器件連接的一端為同名端。

10.如權利要求8所述的充電電路，其特征在于，所述反激電路的次級側中，電容的一端與次級線圈的一端連接，所述次級線圈的另一端與NMOS管的漏極連接，所述NMOS管的源極和所述電容的另一端均接地；其中，所述次級線圈的另一端與初級線圈中與第一開關器件連接的一端為同名端。