[發(fā)明專利]晶圓單面化學(xué)鍍方法、半導(dǎo)體器件制造方法及半導(dǎo)體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210064011.0 | 申請日: | 2022-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN114628242A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊凌輝;黎哲;鄧方圓;吳榮成;劉晗 | 申請(專利權(quán))人: | 紹興中芯集成電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/18 | 分類號: | H01L21/18;C23C18/16;H01L21/02 |
| 代理公司: | 紹興市知衡專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33277 | 代理人: | 鄧愛民 |
| 地址: | 312000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單面 化學(xué) 方法 半導(dǎo)體器件 制造 | ||
1.晶圓單面化學(xué)鍍方法,其特征在于,包括:
提供一側(cè)形成Taiko環(huán)的晶圓;
將兩個所述晶圓的Taiko環(huán)端面相對并緊密相連;
將所述緊密相連的兩個所述晶圓進行化學(xué)鍍處理;
分離所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓單面化學(xué)鍍方法,其特征在于,將兩個所述晶圓的Taiko環(huán)端面相對并緊密連接包括:在至少一個所述晶圓的Taiko環(huán)端面涂覆臨時鍵合膠,將兩個所述晶圓的Taiko環(huán)端面粘接,然后固化處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓單面化學(xué)鍍方法,其特征在于:所述臨時鍵合膠包括溶劑型鍵合膠或熱熔型鍵合膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓單面化學(xué)鍍方法,其特征在于:所述臨時鍵合膠采用溶劑型鍵合膠,所述溶劑型鍵合膠包括聚酰亞胺和/或醇溶性聚氨酯;
所述分離所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓包括:利用有機溶劑溶解所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓間的所述臨時鍵合膠,或者,沿所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓的鍵合面切割,令兩個所述晶圓分離。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓單面化學(xué)鍍方法,其特征在于:所述臨時鍵合膠采用聚酰亞胺;
所述固化處理的溫度為250℃~300℃,時間為2h~4h;
所述分離所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓包括:利用有機溶劑溶解所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓間的所述臨時鍵合膠,令兩個所述晶圓分離;所述有機溶劑包括N-甲基吡咯烷酮或N-甲基吡咯烷酮與氟化銨的混合溶劑;所述溶解的溫度為40℃~90℃,所述溶解的時間為10min~50min。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓單面化學(xué)鍍方法,其特征在于:所述臨時鍵合膠采用醇溶性聚氨酯,
所述固化處理的溫度為25℃~40℃,時間為2天~3天或溫度為70℃~100℃,時間為30min~90min;
所述分離所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓包括:利用有機溶劑溶解所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓間的所述臨時鍵合膠,令兩個所述晶圓分離;所述有機溶劑包括異丙醇、乙醇和丁醇中的至少一種,所述溶解溫度為15℃~35℃,所述溶解時間為30s~90s。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓單面化學(xué)鍍方法,其特征在于:所述臨時鍵合膠采用熱熔型鍵合膠,所述熱熔型鍵合膠包括聚碳酸酯樹脂;
所述分離所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓包括:對所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓間的所述臨時鍵合膠進行加熱解鍵合,令兩個所述晶圓分離,或者,沿所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓的鍵合面切割,令兩個所述晶圓分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓單面化學(xué)鍍方法,其特征在于:所述臨時鍵合膠采用聚碳酸酯樹脂,所述固化處理的溫度為120℃~150℃,時間為5min~10min;
所述分離所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓包括:對所述化學(xué)鍍處理后的兩個所述晶圓間的所述臨時鍵合膠進行加熱解鍵合,令兩個所述晶圓分離;所述解鍵合溫度為220℃~280℃,時間為1h~3h。
9.半導(dǎo)體器件制造方法,其特征在于:包括如權(quán)利要求1-8任一項所述的晶圓單面化學(xué)鍍方法。
10.半導(dǎo)體器件,其特征在于:采用如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件制造方法制造而成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





