[發明專利]一種二維g-C3

在審

• 申請號: 202210063648.8
• 申請日: 2022-01-20
• 公開（公告）號: CN114592197A
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 薛健;張婭;王海輝
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: C25B1/01
• 分類號: C25B1/01;C25B1/50;B82Y40/00;C25D13/02;B01D67/00;B01D69/02;B01D71/02;C02F1/44;C02F103/08
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 文靜

1.一種二維g-C₃N₄納米片膜的電化學制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)將三聚氰胺、氫氧化鈉與水按照質量體積比為(1～3)g：(0.5～1)g：(50～100)mL混合均勻，作為電解液；以鉑片為電極，使用電壓的大小為3～10V的直流電源，通電反應時間為1～3h，將反應后的電解液經離心，透析處理后，獲得g-C₃N₄納米片溶液；

(2)將處理過的有孔基底放在U型槽的中間固定，在兩端插入碳板作為電極，U型槽的一側加入g-C₃N₄納米片溶液，另一側加入超純水，通電進行電泳沉積，沉積完成后，取出基底，進行干燥處理，獲得二維g-C₃N₄納米片膜。

2.根據權利要求1所述的二維g-C₃N₄納米片膜的電化學制備方法，其特征在于，步驟(1)所述離心的轉速為5000～10000rpm；離心的時間為30～60min。

3.根據權利要求1所述的二維g-C₃N₄納米片膜的電化學制備方法，其特征在于，步驟(1)所述透析所使用的透析袋的分子量為1000～5000Da；透析的時間為3～5天。

4.根據權利要求1所述的二維g-C₃N₄納米片膜的電化學制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述電泳沉積的條件：電壓為15～30V，時間為30～60min。

5.根據權利要求1所述的二維g-C₃N₄納米片膜的電化學制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述g-C₃N₄二維納米片膜的厚度為350～630nm。

6.一種二維g-C₃N₄納米片膜，其特征在于，根據權利要求1至5任一項制備方法制備得到。

7.一種二維g-C₃N₄納米片膜在離子分離中的應用。

8.根據權利要求7所述的二維g-C₃N₄納米片膜在離子分離中的應用，其特征在于，所述二維g-C₃N₄納米片膜在離子分離中的應用，包括以下步驟：

將二維g-C₃N₄納米片膜置于離子截留裝置中，膜的一側加入離子化合物溶液，膜的另一側加入水，從而實現離子截留。

9.根據權利要求7所述的二維g-C₃N₄納米片膜在離子分離中的應用，其特征在于，所述離子化合物溶液的濃度為0.01～2mol/L。

10.根據權利要求7所述的二維g-C₃N₄納米片膜在離子分離中的應用，其特征在于，所述離子化合物為NaCl，LiCl，CaCl₂，MgCl₂，AlCl₃，CuSO₄，CdSO₄或MnSO₄中的一種。