[發明專利]包括貫通孔結構的半導體器件

在審

• 申請號: 202210063164.3
• 申請日: 2022-01-19
• 公開（公告）號: CN115132698A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 黃善寬;金泰成;羅勛奏;文光辰;全炯俊
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

集成電路層，在所述半導體襯底上；

第一金屬布線層至第n金屬布線層，順序堆疊在所述半導體襯底與所述集成電路層上，其中n為正整數；

第一貫通孔結構，沿豎直方向從第一過孔連接金屬布線層向所述半導體襯底延伸并穿過所述半導體襯底，所述第一過孔連接金屬布線層是除所述第一金屬布線層之外的第二金屬布線層至第n金屬布線層中的一個金屬布線層；以及

第二貫通孔結構，與所述第一貫通孔結構分開，沿豎直方向從第二過孔連接金屬布線層向所述半導體襯底延伸并穿過所述半導體襯底，所述第二過孔連接金屬布線層是除所述第一金屬布線層之外的第二金屬布線層至第n金屬布線層中的一個金屬布線層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一貫通孔結構的第一直徑與所述第二貫通孔結構的第二直徑不同。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，

所述第一貫通孔結構的第一直徑小于所述第二貫通孔結構的第二直徑，

所述第一貫通孔結構與所述集成電路層的一側分開第一間距，以及

所述第二貫通孔結構與所述集成電路層的另一側分開第二間距，所述第二間距小于所述第一間距。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一貫通孔結構的第一直徑與所述第二貫通孔結構的第二直徑相同。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中：

所述第一貫通孔結構與所述集成電路層的一側分開第一間距，以及

所述第二貫通孔結構與所述集成電路層的另一側分開第二間距，所述第二間距與所述第一間距相同。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一過孔連接金屬布線層和所述第二過孔連接金屬布線層在彼此不同的水平上。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一過孔連接金屬布線層和所述第二過孔連接金屬布線層在同一水平上。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

上焊盤，在所述第n金屬布線層上并與所述第n金屬布線層電連接，所述第n金屬布線層是第一金屬布線層至第n金屬布線層中的最上層；以及

下焊盤，在所述半導體襯底的底表面上，并與所述第一貫通孔結構或所述第二貫通孔結構中的相應的一個貫通孔結構電連接。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

重分布層，在所述第n金屬布線層上并與所述第n金屬布線層電連接，所述第n金屬布線層是第一金屬布線層至第n金屬布線層中的最上層；

凸塊焊盤，在所述重分布層上并與所述重分布層電連接；以及

焊料凸塊，在所述凸塊焊盤上。

10.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；

前端級層，在所述半導體襯底的所述第一表面上，所述前端級層包括集成電路層；

后端級層，在所述前端級層上，所述后端級層包括順序堆疊在所述集成電路層上并與所述集成電路層電連接的第一金屬布線層至第n金屬布線層，其中n為正整數；

第一貫通孔結構，沿豎直方向從第一過孔連接金屬布線層向所述半導體襯底延伸，并穿過所述后端級層、所述前端級層以及所述半導體襯底的所述第一表面和所述第二表面之間的區域，所述第一過孔連接金屬布線層是除所述第一金屬布線層之外的第二金屬布線層至第n金屬布線層中的一個金屬布線層；以及

第二貫通孔結構，與所述第一貫通孔結構分開，沿豎直方向從第二過孔連接金屬布線層向所述半導體襯底延伸，并穿過所述后端級層、所述前端級層以及所述半導體襯底的所述第一表面和所述第二表面之間的區域，所述第二過孔連接金屬布線層是除所述第一金屬布線層之外的第二金屬布線層至第n金屬布線層中的一個金屬布線層。