[發明專利]一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法有效
| 申請號: | 202210060298.X | 申請日: | 2022-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN114560705B | 公開(公告)日: | 2023-01-24 |
| 發明(設計)人: | 楊大勝;施純錫 | 申請(專利權)人: | 福建華清電子材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/581 | 分類號: | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/638;C04B35/64 |
| 代理公司: | 泉州市誠得知識產權代理事務所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 林小彬 |
| 地址: | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 研磨 氮化 陶瓷 制備 方法 | ||
1.一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于,包括以下制備步驟:
(1)流延漿料的配置,以氮化鋁粉體為主原料,搭配燒結助劑,并添加有機助劑,制成漿料;
(2)流延成型:通過流延成型獲得生坯帶;
(3)沖壓成片:將步驟(2)所得的生坯帶放入沖片機上進行沖壓,得到所需形狀及尺寸的生坯片;
(4)敷粉排膠:將步驟(3)制得的生坯片逐片放入設備傳送帶的托盤上,在各個生坯片的表面均勻噴灑霧化后的隔粘料,然后逐疊放入排膠爐中,排膠保溫溫度控制在430~460℃,排膠時間為50~54h;霧化后的隔粘料粒徑為0.5-5μm;
(5)燒結:將排膠后的生坯片置于燒結爐中燒結12~20h,燒結溫度為1820~1850℃,升溫速率6~8℃/min,燒結過程在氮氣或惰性氣體氣氛下進行,獲得熟坯片;
(6)表面處理:將熟坯片送入改性弱堿溶液中浸泡處理去除表面的敷粉,再取出晾干,即得到不研磨氮化鋁陶瓷基板;所述改性弱堿溶液由100~110重量份的有機硅酸鹽及50~60重量份弱堿性溶液組成。
2.根據權利要求1所述的一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于:步驟(6)中熟坯片在送入改性弱堿性溶液前還先通過振磨設備去除表面的部分敷粉。
3.根據權利要求2所述的一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于:步驟(6)中晾干后再送入掃光設備對熟坯片的表面進行掃光處理,使熟坯片的表面平整光亮,即得到不研磨氮化鋁陶瓷基板。
4.根據權利要求3所述的一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于:所述掃光設備的上盤為全豬毛/羊毛刷。
5.根據權利要求1所述的一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于:步驟(1)中,流延漿料配置后進行球磨和脫泡處理,進而制成流延漿料。
6.根據權利要求1所述的一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于:所述隔粘料為氮化硼或氮化鋁粉。
7.根據權利要求1所述的一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于:所述隔粘料通過霧化裝置噴灑在各個生坯片的表面,所述霧化裝置包括儲料罐、與儲料罐連通的輸料管、與輸料管連通的液體霧化轉化器、與液體霧化轉化器連通的出料器,所述出料器設有出料盤,所述出料盤表面開設有均勻密布的微孔,所述微孔的孔徑為0.5-5μm。
8.根據權利要求7所述的一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于:所述出料盤的寬度和長度均大于生坯片的寬度和長度。
9.根據權利要求7所述的一種不研磨氮化鋁陶瓷基板的制備方法,其特征在于:所述出料盤設置在生坯片正上方10-30cm處。
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