[發明專利]包括具有經調節的氮重量百分比的隧穿層的溝道結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202210059549.2
• 申請日: 2020-01-14
• 公開（公告）號: CN114388529A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發明（設計）人: 劉松;沈超;陳德建;汪文婷;黃欣欣;許芷萍
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/28
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

公開了存儲器件及其制造方法的實施例。在示例中，一種存儲器件，包括：襯底；存儲堆疊體；以及溝道結構。所述存儲堆疊體包括在所述襯底之上的交錯的導體層和電介質層。所述溝道結構延伸通過所述存儲堆疊體到達所述襯底中，并且包括功能層，所述功能層包括隧穿層，所述隧穿層的氮重量百分比不大于約28％。

本申請是申請日為2020年1月14日，名稱為“包括具有經調節的氮重量百分比的隧穿層的溝道結構及其形成方法”，申請號為202080000132.8的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本公開的實施例涉及三維(3D)存儲器件及其重量百分比和制造方法。

背景技術

通過改進工藝技術、電路設計、編程算法、和制造工藝，平面存儲單元被縮放到更小的尺寸。然而，隨著存儲單元的特征尺寸接近下限，平面工藝和制造技術變得具有挑戰性并且成本高昂。結果，平面存儲單元的存儲密度接近上限。

三維(3D)存儲架構可以解決平面存儲單元中的密度限制。3D存儲架構包括存儲器陣列和用于控制信號來往于存儲器陣列的外圍設備。

發明內容

于此公開了包括具有經調節的氮重量百分比的隧穿層的溝道結構的實施例及其制造方法。

在一個示例中，一種存儲器件，包括：襯底；存儲堆疊體；以及溝道結構。所述存儲堆疊體包括在所述襯底之上的交錯的導體層和電介質層。所述溝道結構延伸通過所述存儲堆疊體到達所述襯底中，并且包括功能層，所述功能層具有隧穿層，所述隧穿層的氮重量百分比不大于約28％。

在另一示例中，一種用于形成存儲器件的方法，包括以下操作。首先，在襯底之上的堆疊結構中形成溝道孔。從所述溝道孔的側壁朝向所述溝道孔的中心徑向布置地依次沉積阻擋層、存儲層和隧穿層。執行熱處理以將所述隧穿層中的氮重量含量調節為不大于約28％。在所述溝道孔中的所述隧穿層之上沉積半導體層。

附圖說明

并入本文中并形成申請文件一部分的附圖示出了本公開的實施例，并且與說明書一起進一步用于解釋本公開的原理并使本領域技術人員能夠實現和使用本公開。

圖1示出了根據一些實施例的3D存儲器件中的溝道結構的一部分的橫截面的示意圖。

圖2示出了在本公開的各種實施例中使用的退火裝置。

圖3A至圖3D示出了根據一些實施例的形成具有隧穿層的溝道結構的示例性制造工藝，該隧穿層具有減小的氮重量百分比。

圖4示出了根據一些實施例的在不同退火條件下形成的氮重量百分比。

圖5示出了根據一些實施例的在不同退火條件下形成的氮重量百分比和氧重量百分比。

圖6示出了根據一些實施例的形成具有示例性隧穿層的溝道結構的示例性制造工藝的流程圖，該隧穿層具有減小的氮重量百分比。

圖7A-7C示出了根據一些實施例的在退火工藝期間的示例性參數調節。

將參考附圖描述本公開的實施例。

具體實施方式

盡管討論了特定的配置和布置，但是應當理解，這樣做僅出于說明的目的。本領域技術人員將認識到，在不脫離本公開的精神和范圍的情況下，可以使用其他配置和布置。對本領域技術人員將顯而易見的是，本公開還可以用于多種其他應用中。

應當注意，申請文件中對“一個實施例”、“實施例”、“示例實施例”、“一些實施例”等的引用指示描述的實施例可以包括特定特征、結構、或特性，但是每一個實施例不必然包括該特定特征、結構、或特性。此外，該短語不必然指相同的實施例。此外，當聯系實施例描述特定特征、結構或特性時，不管是否明確描述，與其它實施例相聯系來改變該特征、結構或特性都在本領域技術人員的知識范圍內。