[發(fā)明專利]一種帶有溫度補(bǔ)償功能的功率檢測(cè)電路及其射頻前端模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210057830.2
• 申請(qǐng)日: 2022-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN114089803B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李浩;白云芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 唯捷創(chuàng)芯（天津）電子技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/567
• 分類號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 北京汲智翼成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11381
• 代理人: 陳曦;陳琳

1.一種帶有溫度補(bǔ)償功能的功率檢測(cè)電路，其特征在于包括至少一級(jí)功率檢測(cè)單元和整合單元，所述整合單元的輸入端連接所述功率檢測(cè)單元的輸出端；

所述功率檢測(cè)單元包括第一HBT晶體管和第二HBT晶體管，第一電容、第二電容和第三電容，以及第一電阻、第二電阻和第七電阻；所述功率檢測(cè)電路的信號(hào)輸入端與第一電容連接，第一電容的另一端與第一電阻及第一HBT晶體管的集電極連接，第一電阻的另一端與第一HBT晶體管的基極相連，第一HBT晶體管的發(fā)射極與參考地電位連接；第一HBT晶體管的集電極一方面通過第七電阻與偏置電壓連接，另一方面通過第二電阻與第二HBT晶體管的基極連接；第二HBT晶體管的發(fā)射極與參考地電位連接，第二HBT晶體管的集電極連接所述整合單元的輸入端；第二電容的一端與第一電阻連接，另一端與第一HBT晶體管的發(fā)射極連接；第三電容的一端與第二電阻連接，另一端與第二HBT晶體管的發(fā)射極連接；

所述功率檢測(cè)單元中與偏置電壓連接的電阻為熱敏電阻，和/或所述整合單元中與參考地電位連接的電阻為熱敏電阻。

2.如權(quán)利要求1所述的功率檢測(cè)電路，其特征在于：

所述偏置電壓為具有溫度系數(shù)的電壓。

3.如權(quán)利要求1或2所述的功率檢測(cè)電路，其特征在于：

所述整合單元包括第七HBT晶體管、第十電容，以及第十電阻、第十一電阻、第十二電阻和第十三電阻；其中，所述功率檢測(cè)單元的輸出端與第七HBT晶體管的基極連接，第七HBT晶體管的集電極與所述偏置電壓連接，第七HBT晶體管的發(fā)射極一方面通過第十一電阻與參考地電位連接，另一方面通過第十二電阻與整合單元的輸出端連接；第十電阻的兩端分別與第七HBT晶體管的基極和集電極連接；第十三電阻的一端與參考地電位連接，另一端與輸出端連接；第十電容的一端與第七HBT晶體管的發(fā)射極連接，另一端與參考地電位連接。

4.如權(quán)利要求3所述的功率檢測(cè)電路，其特征在于：

所述整合單元中的第十電阻與所述偏置電壓同時(shí)為正溫度系數(shù)或負(fù)溫度系數(shù)。

5.如權(quán)利要求4所述的功率檢測(cè)電路，其特征在于在所述整合單元中，滿足如下公式：

V7e＝（Vreg－Vbe7）－I*R10

其中，V7e為第七HBT晶體管的發(fā)射極電壓，Vreg為偏置電壓，Vbe7為第七HBT晶體管的基極與發(fā)射極之間的電壓，R10為第十電阻的阻值，I為功率檢測(cè)單元的輸出電流。

6.如權(quán)利要求1所述的功率檢測(cè)電路，其特征在于：

所述功率檢測(cè)單元中與偏置電壓連接的第七電阻為正溫度系數(shù)時(shí)，所述偏置電壓為負(fù)溫度系數(shù)；或者，所述功率檢測(cè)單元中與偏置電壓連接的第七電阻為負(fù)溫度系數(shù)時(shí)，所述偏置電壓為正溫度系數(shù)。

7.如權(quán)利要求1所述的功率檢測(cè)電路，其特征在于：

所述功率檢測(cè)單元為至少兩級(jí)時(shí)，每一級(jí)功率檢測(cè)單元中的第二HBT晶體管的集電極作為該級(jí)功率檢測(cè)單元的輸出端，共同連接至所述整合單元的輸入端。

8.一種射頻前端模塊，其特征在于所述射頻前端模塊中包括有權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的功率檢測(cè)電路。

9.一種電子設(shè)備，其特征在于包括權(quán)利要求1～7中任意一項(xiàng)所述的功率檢測(cè)電路。