[發明專利]一種半導體電路及其制造方法

在審

• 申請號: 202210055701.X
• 申請日: 2022-01-18
• 公開（公告）號: CN114530443A
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 馮宇翔;張土明
• 申請（專利權）人: 廣東匯芯半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/367;H01L21/50;H05K7/20
• 代理公司: 佛山市禾才知識產權代理有限公司 44379
• 代理人: 陸應健;資凱亮

1.一種半導體電路，其特征在于：包括U相逆變組件、V相逆變組件、W相逆變組件和鋁基板，所述U相逆變組件與主電路的U相電連接，所述V相逆變組件與主電路的V相電連接，所述W相逆變組件與主電路的W相電連接；

所述U相逆變組件、V相逆變組件和W相逆變組件均包括HVIC驅動芯片、LVIC驅動芯片、第一輔助散熱片、第二輔助散熱片、上橋臂三極晶體功率管和下橋臂三極晶體功率管；

所述HVIC驅動芯片、所述第一輔助散熱片和所述上橋臂三極晶體功率管從上到下依次連接，所述上橋臂三極晶體功率管設置于所述鋁基板；

所述LVIC驅動芯片、所述第二輔助散熱片和所述下橋臂三極晶體功率管從上到下依次連接，所述下橋臂三極晶體功率管設置于所述鋁基板。

2.根據權利要求1所述的半導體電路，其特征在于：所述U相逆變組件、V相逆變組件和W相逆變組件均設有第三輔助散熱片，所述第三輔助散熱片的頂面與所述上橋臂三極晶體功率管的底面和/或所述下橋臂三極晶體功率管的底面連接，所述第三輔助散熱片的底面與所述鋁基板連接。

3.根據權利要求1所述的半導體電路，其特征在于：所述半導體電路還包括引腳，所述引腳設置在所述鋁基板的兩端，所述引腳包括高壓輸入端P和輸出端UVW；

所述上橋臂三極晶體功率管的漏極與所述高壓輸入端P電連接；所述上橋臂三極晶體功率管的源極與所述下橋臂三極晶體功率管的漏極電連接后與主電路的U相、V相或W相電連接；所述下橋臂三極晶體功率管的源極與所述輸出端UVW電連接；所述上橋臂三極晶體功率管的柵極與所述HVIC驅動芯片的上橋臂控制端HO電連接，所述下橋臂三極晶體功率管的柵極與所述LVIC驅動芯片的下橋臂控制端LO電連接。

4.根據權利要求3所述的半導體電路，其特征在于：所述半導體電路還包括銅箔層，所述銅箔層設置于所述鋁基板的上表面，所述U相逆變組件、V相逆變組件和W相逆變組件之間通過所述銅箔層電連接。

5.根據權利要求4所述的半導體電路，其特征在于：所述半導體電路還包括綁定線，所述HVIC驅動芯片和所述LVIC驅動芯片分別通過對應的綁定線與所述銅箔層電連接。

6.根據權利要求1所述的半導體電路，其特征在于：所述半導體電路還包括外殼封裝填料，所述外殼封裝填料包裹住所述U相逆變組件、V相逆變組件、W相逆變組件和鋁基板。

7.一種根據權利要求1-6任意一項所述的半導體電路的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

A1：在鋁基板對應的地方涂上錫膏；

A2：在所述第一輔助散熱片的頂面和所述第二輔助散熱片的頂面涂錫膏；然后將所述HVIC驅動芯片粘貼在所述第一輔助散熱片的頂面，將所述LVIC驅動芯片粘貼在所述第二輔助散熱片的頂面；對所述第一輔助散熱片的錫膏和所述第二輔助散熱片的錫膏加熱，使得所述HVIC驅動芯片焊接于所述第一輔助散熱片，使得所述LVIC驅動芯片焊接于所述第二輔助散熱片；

A3：在所述上橋臂三極晶體功率管的源極或所述下橋臂三極晶體功率管的源極點膠；

A4：把通過步驟A3得到的焊接于第一輔助散熱片的HVIC驅動芯片放置于通過步驟A4得到的點完膠的上橋臂三極晶體功率管，得到第一復合疊片件；以及把通過步驟A3得到的焊接于第二輔助散熱片的LVIC驅動芯片放置于通過步驟A4得到的點完膠的下橋臂三極晶體功率管，得到第二復合疊片件；

A5：將所述第一復合疊片件和所述第二復合疊片件放置于所述鋁基板上涂有錫膏的位置，對所述鋁基板的錫膏加熱，使得所述第一復合疊片件和所述第二復合疊片件焊接于所述鋁基板。

8.根據權利要求7所述的半導體電路的制造方法，其特征在于：在所述步驟A1之后以及在所述步驟A2之前還包括步驟A6，所述步驟A6為：

在第三輔助散熱片的頂面涂錫膏；然后將所述上橋臂三極晶體功率管和/或所述下橋臂三極晶體功率管的粘貼在涂有錫膏的所述第三輔助散熱片的頂面；對所述第三輔助散熱片的錫膏加熱，使得所述三輔助散熱片焊接于所述上橋臂三極晶體功率管和/或所述下橋臂三極晶體功率管。