[發(fā)明專利]一種CoSe2 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210055629.0 | 申請日： | 2022-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN114477106B | 公開（公告）日： | 2023-06-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高林;苗世昌;陶華超;顏波;張露露;楊學林 | 申請（專利權(quán)）人： | 三峽大學 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04;D01F9/08;H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務(wù)所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443002 *** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cose base sub | ||
本發(fā)明提供了CoSesubgt;2/subgt;?SnSe@CNF復(fù)合材料的制備方法，硫酸鈷為鈷源，氯化亞錫為錫源，硒粉為硒源，DMF為溶劑，PAN為高聚物，均勻分散，通過靜電紡絲法，前驅(qū)體在空氣中預(yù)氧化之后再在氮氣條件下進行高溫煅燒，隨后又在空氣中煅燒得到CoSesubgt;2/subgt;?SnSe@CNF復(fù)合材料。該方法制得的復(fù)合材料作為鈉離子電池的負極材料，具有優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性、高比容量的特點。這種CoSesubgt;2/subgt;?SnSe@CNF復(fù)合材料在1?A?gsupgt;?1/supgt;電流密度下循環(huán)1000圈后依然擁有247.9?mA?h?gsupgt;?1/supgt;的比容量。具有優(yōu)異的電化學性能，在鈉離子電池領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于鈉離子電池負極材料領(lǐng)域，具體涉及一種CoSe2-SnSe@CNF制備方法及應(yīng)用。
技術(shù)背景
目前社會對能源的需求也在不斷增加。不斷開發(fā)和使用不可再生能源造成了嚴重的環(huán)境污染，于是人們將目標轉(zhuǎn)移至可再生綠色能源，從而減少環(huán)境污染。現(xiàn)階段，太陽能、風能、地熱能及潮汐能等清潔能源引起了廣泛關(guān)注，然而其受地理位置，環(huán)境和時間的影響無法得到充分利用。近年來，隨著全球化學電池市場的快速發(fā)展，二次電池這種能實現(xiàn)電能與化學能轉(zhuǎn)化的新型儲能技術(shù)，在新一輪能源變革中受到廣泛關(guān)注。其中，鋰離子電池已占據(jù)全球電化學儲能規(guī)模市場80%份額的，但由于其資源的稀缺性和高昂成本，產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨“天花板”，而資源儲量豐富、成本低廉的鈉離子電池，便成為了極佳的補充。本發(fā)明提供了一種鈉離子電池CoSe2-SnSe@CNF復(fù)合材料負極制備方法，所制備的材料具有穩(wěn)定的循環(huán)性能，可用作鈉離子電池負極材料。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明使用的原料為氯化亞錫、硫酸鈷、聚丙烯腈（PAN）、N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、硒粉。具體過程為氯化亞錫、硫酸鈷、聚丙烯氰、硒粉分散在N，N-二甲基甲酰胺（DMF），在室溫下持續(xù)攪拌至形成均一溶液，得到紡絲前驅(qū)體溶液。將該紡絲前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)移至帶有22號針頭的塑料注射器中，置于靜電紡絲裝置上，設(shè)置靜電紡絲參數(shù)，正電壓為12-15?V，負電壓為-1~-2V，針頭與接收器的距離為12-16cm。然后進行紡絲，即可得到初紡絲纖維。取下初紡絲纖維，置于60-80?℃烘箱中烘5-6?h至烘干，再放置在馬弗爐中以2-5℃?min-1的升溫速率升溫至250-350?℃，預(yù)氧化3-6?h，然后將得到產(chǎn)物放置管式爐中，在氮氣條件下以2-3℃?min-1的升溫速率升溫至400-600?℃，煅燒2-5?h，自然冷卻至室溫，隨后將得到的復(fù)合材料置于馬弗爐中3-5?℃?min-1升溫速率升溫至300-400℃，空燒0.5-3?h，即可得到CoSe2-SnSe@CNF復(fù)合材料。
本專利所發(fā)明的CoSe2-SnSe@CNF復(fù)合材料制備方法具有以下特點：
（1）制備過程簡單，能夠得到柔性材料。
（2）制備得到CoSe2-SnSe@CNF復(fù)合材料直徑為0.4-1.0?μm，具有均勻的形貌。
（3）制備得到CoSe2-SnSe@CNF復(fù)合材料具有穩(wěn)定的電化學性能。
附圖說明
圖1為實施例1、2、3所制備樣品的XRD與標準卡片的對比圖。
圖2為實施例1、2、3所制備樣品的SEM圖。
圖3為實施例1、2、3所制備樣品的倍率性能對比圖。
圖4為實施例1、2、3所制備樣品的循環(huán)性能對比圖。
圖5為實施例1所制備樣品充放電曲線。
圖6為實施例2所制備樣品充放電曲線。
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