[發(fā)明專利]蓄電裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210055452.4 | 申請日: | 2013-10-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114400299A | 公開(公告)日: | 2022-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 板倉亮;伊藤恭介;石川純;橫井里枝 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號(hào): | H01M4/133 | 分類號(hào): | H01M4/133;H01M10/0569;H01M10/058;H01M4/583 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 葛臻翼 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 制造 方法 | ||
1.一種蓄電裝置的制造方法,包括如下步驟:
將包含石墨的碳材料和粘結(jié)劑與溶劑一起混合以形成糊料,
使所述糊料干燥以形成負(fù)極,以及
將正極和所述負(fù)極與所述正極和所述負(fù)極之間的隔離體和電解液一起重疊,所述電解液包含鋰離子以及由有機(jī)陽離子和陰離子構(gòu)成的離子液體;
其中負(fù)極具有R值為1.1或更大的單一碳材料,碳材料在負(fù)極中的含有率低于2wt%,
所述R值是峰值強(qiáng)度I1360與峰值強(qiáng)度I1580的比(I1360/I1580),所述峰值強(qiáng)度I1360及所述峰值強(qiáng)度I1580通過拉曼光譜法分別在拉曼位移為1360cm-1處及拉曼位移為1580cm-1處被觀察到,并且
其中,單一碳材料為石墨。
2.一種蓄電裝置的制造方法,包括如下步驟:
將包含石墨烯的碳材料和粘結(jié)劑與溶劑一起混合以形成糊料,
使所述糊料干燥以形成負(fù)極,以及
將正極和所述負(fù)極與所述正極和所述負(fù)極之間的隔離體和電解液一起重疊,所述電解液包含鋰離子以及由有機(jī)陽離子和陰離子構(gòu)成的離子液體,
其中,所述負(fù)極中R值為1.1以上的碳材料的含有率低于2wt%,
所述R值是峰值強(qiáng)度I1360與峰值強(qiáng)度I1580的比(I1360/I1580),所述峰值強(qiáng)度I1360及所述峰值強(qiáng)度I1580通過拉曼光譜法分別在拉曼位移為1360cm-1處及拉曼位移為1580cm-1處被觀察到。
3.一種蓄電裝置的制造方法,包括如下步驟:
將碳材料和粘結(jié)劑與溶劑一起混合以形成糊料,
在集流體上涂敷糊料;
使集流體上的糊料干燥以形成負(fù)極;和
將正極、負(fù)極、和隔離體浸漬在包括鋰離子和由有機(jī)陽離子和陰離子構(gòu)成的離子液體的電解液中,
其中離子液體的熔點(diǎn)為-10℃以下,
其中負(fù)極中R值大于等于1.1的碳材料在負(fù)極中的含有率小于2wt%,
所述R值是峰值強(qiáng)度I1360與峰值強(qiáng)度I1580的比(I1360/I1580),所述峰值強(qiáng)度I1360及所述峰值強(qiáng)度I1580通過拉曼光譜法分別在拉曼位移為1360cm-1處及拉曼位移為1580cm-1處被觀察到。
4.一種蓄電裝置的制造方法,包括如下步驟:
將包含石墨烯的碳材料和粘結(jié)劑與溶劑一起混合以形成糊料,
在集流體上涂敷糊料;
使集流體上的糊料干燥以形成負(fù)極;和
將正極、負(fù)極、和隔離體浸漬在包括鋰離子和由有機(jī)陽離子和陰離子構(gòu)成的離子液體的電解液中,
其中負(fù)極中R值大于等于1.1的碳材料在負(fù)極中的含有率小于2wt%,
其中所述R值是峰值強(qiáng)度I1360與峰值強(qiáng)度I1580的比(I1360/I1580),所述峰值強(qiáng)度I1360及所述峰值強(qiáng)度I1580通過拉曼光譜法分別在拉曼位移為1360cm-1處及拉曼位移為1580cm-1處被觀察到。
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