[發(fā)明專利]一種硅塊拼接方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210055373.3
• 申請日: 2022-01-18
• 公開（公告）號: CN114396420A
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮龍飛;符黎明
• 申請（專利權(quán)）人: 常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司
• 主分類號: F16B11/00
• 分類號: F16B11/00;B28D7/00;B24B41/00
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1.一種硅塊拼接方法，其特征在于，采用拼接工裝對硅塊進(jìn)行拼接粘棒；

所述硅塊包括：分設(shè)在硅塊厚度方向兩端的一對端面，以及位于該對端面之間的四個(gè)側(cè)面；

所述拼接工裝包括設(shè)有平置V形槽的載臺(tái)，該V形槽包括一對相互垂直的側(cè)壁，且V形槽的一端由豎置端壁封閉；

所述拼接方法包括如下步驟：將多個(gè)硅塊依次豎放在載臺(tái)的V形槽中，使每個(gè)硅塊都有一個(gè)端面朝向V形槽的端壁，且使每個(gè)硅塊都有一對相鄰的側(cè)面分別貼靠V形槽的一對側(cè)壁；使相鄰兩個(gè)硅塊的端面通過拼棒膠進(jìn)行粘接，且通過在相鄰兩個(gè)硅塊的端面之間插入墊片來控制相鄰兩個(gè)硅塊之間的間隙；然后將V形槽中的多個(gè)硅塊向V形槽的端壁推擠，對該多個(gè)硅塊施加一定的壓力，使相鄰兩個(gè)硅塊之間粘接牢固，最終使多個(gè)硅塊結(jié)合形成硅棒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅塊拼接方法，其特征在于，在相鄰兩個(gè)硅塊的端面之間插入3～4個(gè)墊片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅塊拼接方法，其特征在于，將相鄰兩個(gè)硅塊之間的間隙控制在0.5～2.0mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅塊拼接方法，其特征在于，使V形槽的一對側(cè)壁都相對于水平面斜置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅塊拼接方法，其特征在于，使V形槽的一個(gè)側(cè)壁與水平面的夾角不大于45°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅塊拼接方法，其特征在于，采用設(shè)置在V形槽另一端的伸縮缸推擠V形槽中的多個(gè)硅塊。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅塊拼接方法，其特征在于，在伸縮缸的活塞桿外端設(shè)置與V形槽端壁平行的推板；推擠時(shí)，伸縮缸的活塞桿向V形槽端壁伸出，活塞桿驅(qū)動(dòng)推板推擠V形槽中的多個(gè)硅塊，將該多個(gè)硅塊擠壓在V形槽的端壁上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅塊拼接方法，其特征在于，在推板朝向V形槽端壁的一側(cè)貼覆彈性墊，以防止推板碰傷硅塊的端面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅塊拼接方法，其特征在于，在V形槽的端壁上貼覆彈性墊，以防止端壁碰傷硅塊的端面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅塊拼接方法，其特征在于，所述硅塊為圓硅棒開方所形成的薄硅塊或短硅塊。