[發明專利]濾波器結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202210053732.1
• 申請日: 2022-01-18
• 公開（公告）號: CN114553183A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 王勇濤;蔡敏豪;王沖;羅傳鵬
• 申請（專利權）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: H03H9/54
• 分類號: H03H9/54;H03H3/02;G01R31/00
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

1.一種濾波器結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，并于所述基底上形成初級濾波器結構，所述初級濾波器結構包括串聯諧振器結構以及并聯諧振器結構，所述串聯諧振器結構具有第一頂層部，所述并聯諧振器結構具有第二頂層部；

對所述初級濾波器結構的帶寬進行測試；

根據帶寬測試結果，對所述初級濾波器結構的第一頂層部與第二頂層部二者之中的其中一者的厚度進行調節，以形成帶寬與目標帶寬之間的差值位于預設范圍內的所述濾波器結構。

2.根據權利要求1所述的濾波器結構的制作方法，其特征在于，所述第一頂層部與所述第二頂層部分別為所述串聯諧振器結構的鈍化層和所述并聯諧振器結構的鈍化層。

3.根據權利要求1或2所述的濾波器結構的制作方法，其特征在于，所述根據帶寬測試結果，對所述初級濾波器結構的第一頂層部與第二頂層部二者之中的其中一者的厚度進行調節，包括：

根據帶寬測試結果，對所述初級濾波器結構的第一頂層部與第二頂層部二者之中的其中一者進行減薄。

4.根據權利要求3所述的濾波器結構的制作方法，其特征在于，所述根據帶寬測試結果，對所述初級濾波器結構的第一頂層部與第二頂層部二者之中的其中一者進行減薄，包括：

當所述初級濾波器結構的帶寬大于第一預設帶寬時，對所述第二頂層部進行減薄；

當所述初級濾波器結構的帶寬小于第二預設帶寬時，對所述第一頂層部進行減薄。

5.根據權利要求4所述的濾波器結構的制作方法，其特征在于，所述當所述初級濾波器結構的帶寬大于第一預設帶寬時，對所述第二頂層部進行減薄，包括：

于所述初級濾波器結構上形成圖形化掩膜層，所述圖形化掩膜層具有開口，所述開口暴露所述第二頂層部；

對暴露的所述第二頂層部進行減薄；

去除所述圖形化掩膜層；

所述當所述初級濾波器結構的帶寬小于第一預設帶寬時，對所述第一頂層部進行減薄，包括：

于所述初級濾波器結構上形成圖形化掩膜層，所述圖形化掩膜層具有開口，所述開口暴露所述第一頂層部；

對暴露的所述第一頂層部進行減薄；

去除所述圖形化掩膜層。

6.根據權利要求3所述的濾波器結構的制作方法，其特征在于，通過修整機臺對所述第一頂層部或者所述第二頂層部進行減薄。

7.根據權利要求1所述的濾波器結構的制作方法，其特征在于，所述提供基底，并于所述基底上形成初級濾波器結構，包括：

提供基底，所述基底內具有空腔，所述空腔內填充犧牲層；

于所述基底上依次形成底電極層、壓電層、頂電極層、質量負載層以及所述鈍化層；

去除所述犧牲層。

8.根據權利要求1所述的濾波器結構的制作方法，其特征在于，所述基底上形成多個初級濾波器結構，

所述對所述初級濾波器結構的帶寬進行測試，包括：

將所述基底劃分為多個測試區域，

在各個測試區域中選取測試濾波器結構；

對各個所述測試濾波器結構的帶寬進行測試。

9.根據權利要求8所述的濾波器結構的制作方法，其特征在于，

所述根據帶寬測試結果，對所述初級濾波器結構的第一頂層部與第二頂層部二者之中的其中一者的厚度進行調節，包括：

根據各個所述測試濾波器結構的帶寬測試結果，對相應的測試區域中的各個初級濾波器結構的第一頂層部或者第二頂層部的厚度進行調節。

10.一種濾波器結構，其特征在于，包括：

基底；

串聯諧振器結構，形成于所述基底上，具有第一頂層部；

并聯諧振器結構，形成于所述基底上，具有第二頂層部；

所述第一頂層部與所述第二頂層部的厚度不同，以使得所述濾波器結構的帶寬與目標帶寬之間的差值位于預設范圍內。