[發明專利]一種基于三端阻變器件的三態門電路在審
| 申請號: | 202210053726.6 | 申請日: | 2022-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN114189242A | 公開(公告)日: | 2022-03-15 |
| 發明(設計)人: | 曹繼芳;崔學成;夏文泰;趙家藝;葉佳寶;田慶;陳冰;劉冬 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | H03K19/20 | 分類號: | H03K19/20;H01L45/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 劉靜 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 三端阻變 器件 三態 門電路 | ||
1.一種基于三端阻變器件的三態門電路,所述三態門電路的輸出包括高電平、低電平及高阻態,其特征在于,所述三端阻變器件具有頂端、底端和側端;
所述三端阻變器件包括第一金屬層,通過所述第一金屬層引出底端,在所述第一金屬層上表面形成金屬鉭氧化物層,在所述金屬鉭氧化物層上表面形成金屬鉭層,所述金屬鉭層上表面和側邊,以及所述金屬鉭氧化物層側邊均包圍隔離層,在所述隔離層頂部形成第二金屬層,通過所述第二金屬層引出頂端,在所述隔離層側邊形成第三金屬層,通過所述第三金屬層引出側端;
對所述三端阻變器件進行賦值操作以控制三端阻變器件的阻值狀態,在賦值后三端阻變器件可實現三態輸出門。
2.如權利要求1所述的基于三端阻變器件的三態門電路,其特征在于,所述第一金屬層為Cu或Ni;所述第二金屬層為Ti、TiN或Pt;所述第三金屬層為W、Cu、Ti或TiN;所述隔離層為氧化鉿層或氧化鎳層。
3.如權利要求1或2所述的基于三端阻變器件的三態門電路,其特征在于,所述的對三端阻變器件進行賦值操作以控制阻變器件的阻值狀態,通過在三端阻變器件的三端施加電壓來賦值,包括:
當三端阻變器件的頂端接負電壓-Vp1、底端接地GND、側端接正電壓Vdd1,三端阻變器件被置為高阻狀態,此時三態門電路的輸出為高阻態;
當三端阻變器件的頂端接正電壓Vp2、底端接地GND、側端接正電壓Vdd2,三端阻變器件被置為低阻狀態,此時三態門電路的輸出為高電平或低電平;
其中,Vp1≥|Vreset|,Vp2≥|Vset|,Vdd1≥|Vdd|,Vdd2≥|Vdd|,Vreset為三端阻變器件置為高阻狀態所需閾值電壓,Vset為三端阻變器件置為低阻狀態所需閾值電壓,Vdd為使三端阻變器件可阻變的側端閾值電壓。
4.如權利要求3所述的基于三端阻變器件的三態門電路,其特征在于,在賦值后,三端阻變器件的側端接地GND,此時可實現三態輸出門,包括:
若三端阻變器件為低阻狀態且三端阻變器件頂端輸入高電平,則三端阻變器件底端輸出高電平;
若三端阻變器件為低阻狀態且三端阻變器件頂端輸入低電平,則三端阻變器件底端輸出低電平;
若三端阻變器件為高阻狀態,則三端阻變器件底端輸出高阻態。
5.如權利要求1所述的基于三端阻變器件的三態門電路,其特征在于,三端阻變器件的賦值操作需要一個時鐘周期。
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