[發明專利]簡單剖面結構保偏母材及其高效制備方法在審
| 申請號： | 202210053205.0 | 申請日： | 2022-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN114349328A | 公開（公告）日： | 2022-04-15 |
| 發明（設計）人： | 李寶東;張飛;勞雪剛;陶泉;和聯科;翟國華;凌明;胡家華 | 申請（專利權）人： | 江蘇亨通光導新材料有限公司;江蘇亨通光電股份有限公司;江蘇亨通光纖科技有限公司 |
| 主分類號： | C03B37/014 | 分類號： | C03B37/014 |
| 代理公司： | 蘇州國誠專利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王會 |
| 地址： | 215200 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 簡單 剖面 結構 保偏母材 及其 高效 制備 方法 | ||
1.簡單剖面結構保偏母材，其特征在于，由內至外依次包括VAD芯層、VAD外側包層和OVD包層，所述VAD芯層中摻鍺，其相對折射率n1為0.5％～0.9％，所述VAD外側包層中摻氟，其相對折射率n2為-0.05％～-0.1％。
2.根據權利要求1所述的簡單剖面結構保偏母材的高效制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
首先采用VAD工藝制備SiO2松散體，在沉積過程中，VAD芯層摻鍺，VAD芯層外側沉積VAD外側包層，再通過燒結摻氟工藝，在VAD外側包層摻氟，隨后進行動態保溫處理、延伸和酸洗后通過OVD工藝制備OVD包層，通過燒結工藝，得到無缺陷玻璃母棒，再經孔加工后組裝應力棒，實現保偏母材的制備。
3.根據權利要求2所述的簡單剖面結構保偏母材的高效制備方法，其特征在于，所述VAD芯層摻GeO2，其相對折射率n1為0.5％～0.9％。
4.根據權利要求2所述的簡單剖面結構保偏母材的高效制備方法，其特征在于，所述摻氟工藝中的溫度為1100±20℃，氟源為CF4。
5.根據權利要求2所述的簡單剖面結構保偏母材的高效制備方法，其特征在于，所述動態保溫處理具體包括：
將摻氟后的玻璃棒放置于動態保溫裝置內進行動態保溫處理，保溫溫度為1100±30℃，保溫時間不小于26h，玻璃棒豎向或橫向往復移動速度為2～10mm/min，旋轉速度1～3轉/min，保溫結束后冷卻到800±25℃取出。
6.根據權利要求2所述的簡單剖面結構保偏母材的高效制備方法，其特征在于，所述酸采用HF溶液，所述HF溶液的濃度為6±2％，酸洗時間為35±10min。
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