[發(fā)明專(zhuān)利]硅片表面平坦度的優(yōu)化方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210052598.3
• 申請(qǐng)日: 2022-01-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114473641A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王慧;周詩(shī);溫玉楠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 徐州鑫晶半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B24B1/00
• 分類(lèi)號(hào): B24B1/00;B24B37/11;B24B37/27;B24B37/34;B24B57/02
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1.一種硅片表面平坦度的優(yōu)化方法，其特征在于，包括利用拋光液對(duì)硅片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光處理的過(guò)程，該過(guò)程包括以下三個(gè)階段：

1)粗拋階段：該階段分為五個(gè)步驟進(jìn)行，各步驟拋光時(shí)間、拋光液成分、拋光液成分體積比和拋光液流量設(shè)定如下：

S1拋光時(shí)間為5s-12s，拋光液成分為粗拋液A和堿性化學(xué)劑D，其中，粗拋液A和堿性化學(xué)劑D體積比為1:(22-35)，該拋光液流量為0.8-1L/min；

S2拋光時(shí)間為23s-35s，拋光液成分為粗拋液A和堿性化學(xué)劑D，其中，粗拋液A和堿性化學(xué)劑D體積比為1:(22-35)，該拋光液流量為0.5-0.7L/min；

S3拋光時(shí)間為58s-73s，拋光液成分為中拋液B和超純水，其中，中拋液和超純水的體積比為1:(6-9)，該拋光液流量為0.5-0.7L/min；

S4拋光時(shí)間為23s-42s，拋光液成分為中拋液B和超純水，其中，中拋液B和超純水的體積比為1:(7-12)，該拋光液流量為0.5-0.7L/min；

S5拋光時(shí)間為8s-16s，拋光液成分為中拋液B和超純水，其中，中拋液B和超純水的體積比為1:(10-17)，該拋光液流量為0.5-0.7L/min；

2)中拋階段：該階段拋光液采用體積比為1:(17-23)的精拋液C和超純水；

3)精拋階段：該階段拋光液采用體積比為1:(20-30)的精拋液C和超純水；

所述粗拋液A由體積比為1:(7-9)的二氧化硅膠體和水組成，其中，二氧化硅膠體粒徑為50nm-70nm；所述中拋液B由體積比為1:(9-11)的二氧化硅膠體和水組成，其中，二氧化硅膠體粒徑為30nm-50nm；所述精拋液C由體積比為1:(11-13)的二氧化硅膠體和水組成，其中，二氧化硅膠體粒徑為30nm-40nm，所述堿性化學(xué)劑D采用純度為1％-5％的KOH溶液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片表面平坦度的優(yōu)化方法，其特征在于，拋光過(guò)程中粗拋階段各步驟溫度控制在30℃-40℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片表面平坦度的優(yōu)化方法，其特征在于，所述中拋階段拋光時(shí)間為130s-160s，拋光液的流量為0.5-0.7L/min，拋光過(guò)程中溫度控制在25℃-30℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片表面平坦度的優(yōu)化方法，其特征在于，所述精拋階段拋光時(shí)間為130s-160s，拋光液的流量為0.7-1L/min，拋光過(guò)程中溫度控制在20℃-25℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種優(yōu)化硅片表面平坦度的方法，其特征在于，拋光過(guò)程中所述粗拋階段、中拋階段和精拋階段拋光機(jī)的大盤(pán)和拋光頭轉(zhuǎn)速均控制在30rpm-70rpm。