[發(fā)明專利]適用惡劣環(huán)境的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器及其制作工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210052585.6 | 申請日: | 2022-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN114388209A | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王建國;趙武彥;韓占康;施如峯;牛士瑞;程東東;陳東凱 | 申請(專利權(quán))人: | 翔聲科技(廈門)有限公司 |
| 主分類號: | H01C17/06 | 分類號: | H01C17/06;H01C7/04 |
| 代理公司: | 廈門原創(chuàng)專利事務(wù)所(普通合伙) 35101 | 代理人: | 黃燦林 |
| 地址: | 361101 福建省廈門市廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 適用 惡劣 環(huán)境 溫度 系數(shù) 熱敏 電阻器 及其 制作 工藝 | ||
1.一種適用惡劣環(huán)境的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,包括以下步驟:
S1:在基板的下表面印刷電極材料,然后燒結(jié)形成背面電極,其中,所述基板具有多個(gè)折粒單元,在每個(gè)折粒單元上,所述背面電極分別間隔設(shè)置在所述折粒單元的相對兩側(cè);
S2:在所述基板的上表面印刷電極材料,然后燒結(jié)形成第一正面電極,其中,在每個(gè)折粒單元上,所述第一正面電極分別間隔設(shè)置在所述折粒單元的相對兩側(cè),且其中一側(cè)的電極長度長于另一側(cè);
S3:在所述第一正面電極的上方印刷電阻材料,然后燒結(jié)形成電阻層,所述電阻層的一端與左側(cè)的所述第一正面電極搭接,且另一端與右側(cè)的所述第一正面電極間隙隔開;
S4:在所述電阻層上印刷電極材料,然后燒結(jié)形成上層電極,其中,所述上層電極部分覆蓋所述電阻層,并延伸至覆蓋右側(cè)的所述第一正面電極;
S5:在所述上層電極上印刷絕緣材料,然后燒結(jié)形成保護(hù)層,其中,所述保護(hù)層完全覆蓋并熔接于所述電阻層,且兩端分別延伸至覆蓋左側(cè)的所述第一正面電極和所述上層電極的一部分;
S6:將S5得到的產(chǎn)品進(jìn)行熱處理;
S7:對熱處理得到產(chǎn)品的上表面印刷電極材料,干燥后形成第二正面電極,其中,所述第二正面電極覆蓋在所述保護(hù)層和左側(cè)的所述第一正面電極的搭接處;
S8,對S7得到的產(chǎn)品進(jìn)行第一分離操作,得到多根條狀半成品,對所述條狀半成品的側(cè)面進(jìn)行真空濺射,形成側(cè)面電極,左側(cè)的所述側(cè)面電極向兩端延伸以連接左側(cè)的所述第一正面電極和所述背面電極,右側(cè)的所述側(cè)面電極向兩端延伸以連接右側(cè)的所述第一正面電極和所述背面電極;
S9:對S8得到的產(chǎn)品進(jìn)行第二分離操作,得到多個(gè)顆粒狀半成品,每個(gè)所述顆粒狀半成品對應(yīng)一所述折粒單元,對所述顆粒狀半成品進(jìn)行電鍍處理,得到抗硫化負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,在步驟S3中,在所述第一正面電極的上方印刷電阻材料,然后燒結(jié)形成電阻層的步驟包括:在所述第一正面電極上印刷電阻材料,燒結(jié)形成第一電阻層,再在所述第一電阻層上印刷電阻材料,燒結(jié)形成第二電阻層,所述第二電阻層完全覆蓋第一電阻層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,在步驟S5中,在所述上層電極上印刷絕緣材料,然后燒結(jié)形成保護(hù)層的步驟包括:在所述上層電極上印刷第一絕緣材料,得到第一絕緣層,干燥后,印刷第二絕緣材料,得到第二絕緣層,然后燒結(jié)形成所述保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,所述第一絕緣材料為環(huán)氧樹脂漿料,所述第二絕緣材料為玻璃漿料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,所述第二正面電極的電極材料為銀粉和玻璃漿料的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,步驟S7中,所述保護(hù)層和所述上層電極的搭接處覆蓋有所述第二正面電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,步驟S7中,干燥溫度為1808230℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,步驟S4中,通過設(shè)計(jì)所述上層電極的圖形尺寸,調(diào)控所述負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的電阻值。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器的制作工藝,其特征在于,所述第一正面電極和所述上層電極的電極材料相同。
10.一種適用惡劣環(huán)境的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器,其特征在于,根據(jù)權(quán)利要求189任意一項(xiàng)所述的制作工藝制得。
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