[發明專利]超精節距芯片扇出封裝結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202210051245.1
• 申請日: 2022-01-17
• 公開（公告）號: CN114582743A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 陳先明;馮磊;黃本霞;黃高;徐小偉
• 申請（專利權）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李翔;鮑勝如

1.一種超精節距芯片扇出封裝結構的制作方法，包括如下步驟：

(a)制作晶粒及位于所述晶粒表面的凸起；

(b)將所述晶粒貼裝在臨時承載板上；

(c)在所述臨時承載板的上表面上形成包覆所述晶粒和所述第一側邊導通銅柱層的第一包封層，減薄所述第一包封層以暴露所述凸起和所述第一側邊導通銅柱層的端部；

(d)在所述第一包封層的上表面上形成第一導通銅柱層和第一線路層，所述第一導通銅柱層的第一端部和所述第一線路層平齊，所述凸起與所述第一線路層或所述第一導通銅柱層連通；

(e)形成包覆所述第一線路層和所述第一導通銅柱層的第二包封層；

(f)形成第二線路層，所述第二線路層和所述第一導通銅柱層的第二端部連通，部分所述凸起與所述第二線路層通過所述第一導通銅柱層導通；

(g)移除所述臨時承載板。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其中所述第一導通銅柱層中的導通銅柱和所述第一線路層中的導通線路間隔設置。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其中所述第一導通銅柱層中導通銅柱的直徑不同，且所述第一線路層中導通線路的寬度不同。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其中所述臨時承載板的表面上設置有第一側邊導通銅柱層，所述晶粒位于所述第一側邊導通銅柱層的側邊導通銅柱之間。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其中步驟(d)還包括在所述第一線路層上形成第二側邊導通銅柱層，所述第二側邊導通銅柱層和所述第一側邊導通銅柱層縱向重合。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其中步驟(d)包括：

(d1)在所述第一包封層的上表面上形成第一金屬種子層；

(d2)在所述一金屬種子層上施加第一光阻層，曝光顯影所述第一光阻層形成包括第一線路開口和第一導通銅柱開窗的第一特征圖案，所述第一線路開口和所述第一導通銅柱開窗分別與所述凸起縱向對應；

(d3)在所述第一特征圖案中電鍍形成第一線路層和第一導通銅柱層基底；

(d4)施加第二光阻層，曝光顯影所述第二光阻層形成第二特征圖案，所述第二特征圖案包括第二側邊導通銅柱開口和第一導通銅柱開口，所述第一導通銅柱開口暴露所述第一導通銅柱層基底，所述第二側邊導通銅柱開口與所述第一側邊導通銅柱層縱向重合；

(d5)在所述第二特征圖案中電鍍形成第一導通銅柱層和位于所述第一線路層上的第二側邊導通銅柱層；

(d6)移除所述第一光阻層和所述第二光阻層，并蝕刻暴露的第一金屬種子層。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其中所述臨時承載板包括至少一面覆有雙層金屬層的覆銅板，其中所述覆銅板包括核心層、在所述核心層表面上的第一犧牲金屬層和在所述第一犧牲金屬層上的第一金屬層，其中所述第一犧牲金屬層和所述第一金屬層通過物理壓合附著在一起。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其中步驟(g)包括通過將所述第一犧牲金屬層和所述第一金屬層物理分離，以移除所述臨時承載板。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其中步驟(f)包括：

(f1)采用激光控深切割的方式在所述第二包封層的表面形成暴露所述第一導通銅柱層第二端部的第二線路層開口；

(f2)在所述第二包封層的上表面上和所述第二線路層開口的底部和側壁上形成第二金屬種子層；

(f3)在所述第二金屬種子層上電鍍形成銅層；

(f4)采用研磨的方式減薄所述銅層并移除第二金屬種子層形成第二線路層。

10.根據權利要求9所述的制作方法，還包括：

(h)承接步驟(g)，在所述第一金屬層上形成第三線路層，所述第三線路層與所述第一線路層通過所述第一側邊導通銅柱層導通連接，所述第一線路層和所述第二線路層通過所述第二側邊導通銅柱層導通連接。