[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210051000.9
• 申請(qǐng)日: 2022-01-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114400287A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐亞超;吳公一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L49/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L49/02;H01L27/108
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 吳素花;張穎玲

本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，所述半導(dǎo)體器件包括：襯底以及設(shè)置在所述襯底上的電容；所述電容至少包括上電極層，所述上電極層在多個(gè)平面內(nèi)延伸，限定出非閉合的容納腔；上電極板，與所述上電極層接觸連接；所述上電極板包括：硅鍺層以及覆蓋所述硅鍺層的第一導(dǎo)電層；所述硅鍺層填充所述容納腔，所述第一導(dǎo)電層的電導(dǎo)率大于所述硅鍺層的電導(dǎo)率；接觸插塞，與所述上電極板接觸連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)中，包括用于存儲(chǔ)信息的電容，該電容通常具有位于上電極層上的上電極板。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中的上電極板與其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的接觸電阻較大，不利于半導(dǎo)體器件電性能的改善。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，所述器件包括：襯底以及設(shè)置在所述襯底上的電容；所述電容至少包括上電極層，所述上電極層在多個(gè)平面內(nèi)延伸，限定出非閉合的容納腔；上電極板，與所述上電極層接觸連接；所述上電極板包括：硅鍺層以及覆蓋所述硅鍺層的第一導(dǎo)電層；所述硅鍺層填充所述容納腔，所述第一導(dǎo)電層的電導(dǎo)率大于所述硅鍺層的電導(dǎo)率；接觸插塞，與所述上電極板接觸連接。

上述方案中，所述第一導(dǎo)電層的材料包括硅鍺，且所述第一導(dǎo)電層中鍺的原子占比大于所述硅鍺層中鍺的原子占比。

上述方案中，所述硅鍺層中鍺的原子占比為5％至40％，所述第一導(dǎo)電層中鍺的原子占比為60％至80％。

上述方案中，所述第一導(dǎo)電層的材料包括n型摻雜的多晶硅。

上述方案中，所述上電極板還包括：第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層位于所述第一導(dǎo)電層上，所述第二導(dǎo)電層的電導(dǎo)率大于所述第一導(dǎo)電層的電導(dǎo)率。

上述方案中，所述第一導(dǎo)電層的材料包括硅鍺，所述第二導(dǎo)電層的材料包括n型摻雜的多晶硅。

上述方案中，所述半導(dǎo)體器件還包括：介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述上電極板；所述介質(zhì)層內(nèi)具有接觸孔，所述接觸插塞位于所述接觸孔內(nèi)。

上述方案中，所述接觸插塞包括：粘附層和導(dǎo)體層；所述粘附層覆蓋所述接觸孔的側(cè)壁與底面，所述導(dǎo)體層覆蓋所述粘附層且填充所述接觸孔。

本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法包括：

在襯底上形成電容，所述電容至少包括上電極層，所述上電極層在多個(gè)平面內(nèi)延伸，限定出非閉合的容納腔；

形成上電極板，所述上電極板與所述上電極層接觸連接；所述形成上電極板，包括：形成硅鍺層以及覆蓋所述硅鍺層的第一導(dǎo)電層；所述硅鍺層填充所述容納腔，所述第一導(dǎo)電層的電導(dǎo)率大于所述硅鍺層的電導(dǎo)率；

形成接觸插塞，所述接觸插塞與所述上電極板接觸連接。

上述方案中，所述第一導(dǎo)電層的材料包括硅鍺，且所述第一導(dǎo)電層中鍺的原子占比大于所述硅鍺層中鍺的原子占比。

上述方案中，形成硅鍺層以及覆蓋所述硅鍺層的第一導(dǎo)電層，包括：向反應(yīng)腔室內(nèi)通入含鍺氣體和含硅氣體；在形成所述硅鍺層時(shí)，控制所述含鍺氣體的流量在380sccm至440sccm之間，含硅氣體的流量在100sccm至200sccm之間；在形成所述第一導(dǎo)電層時(shí)，控制所述含鍺氣體的流量在560sccm至680sccm之間，含硅氣體的流量在100sccm至200sccm之間。

上述方案中，所述第一導(dǎo)電層的材料包括n型摻雜的多晶硅。

上述方案中，所述上電極板還包括：第二導(dǎo)電層；所述形成上電極板，還包括：在所述第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層的電導(dǎo)率大于所述第一導(dǎo)電層的電導(dǎo)率。