[發(fā)明專利]陣列基板以及顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210049112.0 | 申請日: | 2022-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN114447117A | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 胡道兵;于曉平;俞云;徐洪遠 | 申請(專利權(quán))人: | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李莎 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 以及 顯示 面板 | ||
本申請?zhí)岢隽艘环N陣列基板以及顯示面板,該陣列基板包括第一基底;有源層,位于第一基底的一側(cè),有源層包括有源段和設置于有源段兩側(cè)的接觸段;柵極,柵極與有源層的有源段相對應;其中,陣列基板還包括第一色阻層,第一色阻層位于有源層遠離柵極的一側(cè),第一色阻層在第一基底上的正投影至少部分覆蓋有源段在第一基底上的正投影,第一色阻層至少包括層疊設置于第一基底上的第一色阻子層和第二色阻子層,第一色阻子層與第二色阻子層的顏色相異,從而促使大部分射入有源段的光線被遮擋,減少光線引起的光照漏電流現(xiàn)象,使陣列基板的性能得以穩(wěn)定,進而滿足高亮度顯示面板的需求。
技術(shù)領域
本申請涉及顯示技術(shù)領域,尤其涉及一種陣列基板以及顯示面板。
背景技術(shù)
隨著科技的發(fā)展和進步,液晶顯示器具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點,得到了廣泛的應用?,F(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器,其包括液晶面板及背光模組(BacklightModule)。
在現(xiàn)有的液晶陣列基板中,薄膜晶體管的有源層包括一溝道區(qū),所述溝道區(qū)對于光非常敏感,當有源層的有源段受光照射時,因光電效應所產(chǎn)生的電子空洞,對元件的電性能和穩(wěn)定性的影響非常大,難以滿足高亮度顯示產(chǎn)品的需求,因此,為避免有源層的有源段受到外界光的影響而降低薄膜晶體管的導電特性和穩(wěn)定性,亟需一種可對有源層的溝道區(qū)提供保護的液晶陣列基板設計。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例提供了一種陣列基板以及顯示面板,用以提升所述陣列基板的穩(wěn)定性,進而滿足高亮度顯示面板的需求。
為實現(xiàn)上述目標,本申請實施例提供的技術(shù)方案如下:
本申請實施例提供一種陣列基板,包括
第一基底;
有源層,位于所述第一基底的一側(cè),所述有源層包括有源段和設置于所述有源段兩側(cè)的接觸段;
柵極,所述柵極與所述有源層的有源段相對應;
其中,所述陣列基板還包括第一色阻層,所述第一色阻層位于所述有源層遠離所述柵極的一側(cè),所述第一色阻層在所述第一基底上的正投影至少部分覆蓋所述有源段在所述第一基底上的正投影,所述第一色阻層至少包括層疊設置于所述第一基底上的第一色阻子層和第二色阻子層,所述第一色阻子層與所述第二色阻子層的顏色相異。
在本申請實施例所提供的陣列基板中,所述第一色阻層、所述有源層以及所述柵極依次層疊設置于所述第一基底的一側(cè);其中,
所述有源段在所述第一基底上的正投影位于所述第一色阻層在所述第一基底上的正投影內(nèi)。
在本申請實施例所提供的陣列基板中,所述柵極、所述有源層以及所述第一色阻層依次層疊設置于所述第一基底的一側(cè);其中,
所述第一色阻層在所述第一基底上的正投影覆蓋所述有源段在所述第一基底上的正投影。
在本申請實施例所提供的陣列基板中,所述陣列基板還包括源極、漏極以及像素電極,所述源極和所述漏極位于所述有源層和所述第一色阻層之間,且設置在所述有源層的兩端,所述像素電極位于所述第一色阻層遠離所述有源層的一側(cè);其中,
所述第一色阻層上設置有第一過孔,所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極連接。
在本申請實施例所提供的陣列基板中,所述第一色阻子層為藍色色阻層、綠色色阻層和紅色色阻層中的一者,所述第二色阻子層為藍色色阻層、綠色色阻層和紅色色阻層中的另一者。
在本申請實施例所提供的陣列基板中,所述第一色阻子層為紅色色阻層,所述第二色阻子層為藍色色阻層,所述第一色阻子層在所述第一基底上的正投影覆蓋所述有源段在所述第一基底上的正投影,所述第二色阻子層在所述第一基底上的正投影與所述有源段在所述第一基底上的正投影重疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





