[發明專利]一種InAs/GaSb超晶格生長方法有效
| 申請號： | 202210049044.8 | 申請日： | 2022-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN114457419B | 公開（公告）日： | 2023-03-03 |
| 發明（設計）人： | 胡雨農;周朋;邢偉榮;劉銘 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | C30B25/14 | 分類號： | C30B25/14;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/68;H01L31/0352;H01S5/32 |
| 代理公司： | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 焉明濤 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 inas gasb 晶格 生長 方法 | ||
1.一種InAs/GaSb超晶格生長方法，其特征在于，包括：
在Sb源提供的Sb束流保護下，基于GaSb襯底生長緩沖層；
打開As源針閥至第一開度，打開As源擋板并關閉Sb源擋板，以將生長氛圍從Sb束流保護轉變為As束流保護，其中，所述第一開度大于所需的目標開度，所述目標開度對應于所需的As束流，以及在第一開度的As束流保護氛圍下浸潤預設時長后，降低As針閥開度至所述目標開度；
執行第一周期的InAs/GaSb超晶格生長；
在所述第一周期結束前，將As源針閥開啟至所述目標開度，并打開As源擋板，以實現在As束流保護下，執行第二周期的InAs/GaSb超晶格生長；所述預設時長是基于測試襯底按照如下過程確定的：
利用測試襯底，在各生長源的目標生長速率下測定對應的束流需求；
基于測定的束流需求確定所需的As束流；
調節As源針閥至其射出的束流超過所需的As束流指定閾值后，即刻調小As源針閥至所需的As束流；
記錄調節As源針閥開度過程的時間，作為所述預設時長，記錄超過所需的As束流指定閾值對應的As源針閥開度作為所述第一開度，記錄所需的As束流對應的As源針閥開度作為目標開度。
2.如權利要求1所述的InAs/GaSb超晶格生長方法，其特征在于，基于測定的束流需求確定所需的As束流是目標元素的占比確定的。
3.如權利要求1所述的InAs/GaSb超晶格生長方法，其特征在于，生長InAs/GaSb超晶格是InAs與GaSb交替進行生長的。
4.如權利要求1所述的InAs/GaSb超晶格生長方法，其特征在于，所述InAs/GaSb超晶格生長方法還包括：
基于所述緩沖層，重復執行第一數量的第一周期和第二周期，生長第一目標厚度的摻雜Be的InAs/GaSb超晶格下電極層；
基于所述下電極層，重復執行第二數量的第一周期和第二周期，生長第二目標厚度的摻雜Be的InAs/GaSb超晶格吸收層。
5.如權利要求4所述的InAs/GaSb超晶格生長方法，其特征在于，所述InAs/GaSb超晶格生長方法還包括：
基于所述吸收層直接依序生長InAs/AlSb勢壘層、InAs/AlSb N型摻雜層和InAs N型接觸層。
6.如權利要求1所述的InAs/GaSb超晶格生長方法，其特征在于，所述第一開度為所述目標開度的1.4-1.8倍。
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