[發(fā)明專利]圖案化方法和半導體結(jié)構(gòu)的制備方法

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• 申請日: 2022-01-17
• 公開（公告）號: CN114388353A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設計）人: 黃娟娟;白杰
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/8242;G03F1/76
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 楊明莉

1.一種圖案化方法，其特征在于，包括：

提供基底；

于所述基底表面形成第一圖形化掩膜層，所述第一圖形化掩膜層包括多個沿第一方向延伸的第一掩膜結(jié)構(gòu)，所述第一掩膜結(jié)構(gòu)間隔排布；

于所述第一圖形化掩膜層上形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層填滿所述第一掩膜結(jié)構(gòu)之間的間隔區(qū)域且覆蓋所述第一圖形化掩膜層的上表面，刻蝕所述第一介質(zhì)層，形成多個沿第二方向延伸的第二掩膜結(jié)構(gòu)，所述第二掩膜結(jié)構(gòu)間隔排布；所述第二方向與所述第一方向相交；

選擇性刻蝕所述第一掩膜結(jié)構(gòu)和所述第二掩膜結(jié)構(gòu)，以于所述基底表面形成網(wǎng)狀掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其特征在于，所述于所述基底表面形成第一圖形化掩膜層，包括：

于所述基底表面形成第一掩膜層；

提供第一光罩，所述第一光罩包括多個沿所述第一方向延伸的第一直線光罩，所述第一直線光罩間隔排布；

采用自對準工藝將所述第一光罩與所述第一掩膜層對準，去除所述第一光罩遮擋區(qū)域外的所述第一掩膜層，形成包括所述第一掩膜結(jié)構(gòu)的所述第一圖形化掩膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其特征在于，所述刻蝕所述第一介質(zhì)層，形成多個沿第二方向延伸的第二掩膜結(jié)構(gòu)，包括：

提供第二光罩，所述第二光罩包括多個沿所述第二方向延伸的第二直線光罩，所述第二直線光罩間隔排布；

采用自對準工藝將所述第二光罩與所述第一介質(zhì)層對準，去除所述第二光罩遮擋區(qū)域外的所述第一介質(zhì)層，形成所述第二掩膜結(jié)構(gòu)，所述第二掩膜結(jié)構(gòu)之間的間隔區(qū)域暴露出所述第一圖形化掩膜層和所述基底。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的圖案化方法，其特征在于，采用自對準雙重圖形工藝或自對準四重圖案化工藝對所述第一掩膜結(jié)構(gòu)和/或所述第二掩膜結(jié)構(gòu)的密度進行加倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖案化方法，其特征在于，所述選擇性刻蝕所述第一掩膜結(jié)構(gòu)和所述第二掩膜結(jié)構(gòu)，以于所述基底表面形成網(wǎng)狀掩膜層，包括：

形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層填滿所述第二掩膜結(jié)構(gòu)之間的間隔區(qū)域且覆蓋所述第二掩膜結(jié)構(gòu)的上表面；

刻蝕所述第二介質(zhì)層，直至暴露出所述第二掩膜結(jié)構(gòu)的上表面；

選擇性刻蝕所述第二掩膜結(jié)構(gòu)，直至暴露出所述第一掩膜結(jié)構(gòu)的上表面；

選擇性刻蝕暴露出的所述第一掩膜結(jié)構(gòu)，直至暴露出所述基底的表面；

去除剩余所述第二介質(zhì)層，形成所述網(wǎng)狀掩膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖案化方法，其特征在于，所述第一圖形化掩膜層包括氮化硅層，所述第一介質(zhì)層包括碳層，所述第二介質(zhì)層包括氧化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其特征在于，

所述第一掩膜結(jié)構(gòu)之間的間隔寬度與所述第一掩膜結(jié)構(gòu)的寬度相等；

所述第二掩膜結(jié)構(gòu)之間的間隔寬度與所述第二掩膜結(jié)構(gòu)的寬度相等。

8.一種半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

于基底上形成圖案轉(zhuǎn)移層；

采用如權(quán)利要求1-7中任一項所述圖案化方法，于所述圖案轉(zhuǎn)移層的上表面形成所述網(wǎng)狀掩膜層，所述網(wǎng)狀掩膜層暴露出所述圖案轉(zhuǎn)移層；

基于所述網(wǎng)狀掩膜層刻蝕所述圖案轉(zhuǎn)移層；

去除所述網(wǎng)狀掩膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，形成所述圖案轉(zhuǎn)移層之前還包括：

于所述基底表面形成具有線形結(jié)構(gòu)的圖形化硬掩膜層，所述線形結(jié)構(gòu)之間具有溝槽；

形成硬掩膜層，所述硬掩膜層填滿所述溝槽，且覆蓋所述圖形化硬掩膜層的上表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，形成所述圖案轉(zhuǎn)移層之前還包括：

于所述基底上方形成金屬層；

于所述金屬層的上表面形成硬掩膜層。