[發明專利]集成式LED結構及制備方法

在審

• 申請號: 202210048077.0
• 申請日: 2022-01-17
• 公開（公告）號: CN114420003A
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 劉召軍;張珂
• 申請（專利權）人: 深圳市思坦科技有限公司
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;H01L33/00
• 代理公司: 北京慧加倫知識產權代理有限公司 16035
• 代理人: 李永敏

1.一種集成式LED結構，其特征在于，包括：

基板；

至少三組功能模塊，各所述功能模塊均安裝于所述基板，且各所述功能模塊間隔布置于在所述基板的板面上；

所述功能模塊至少包括照明模塊、顯示模塊和光能轉換模塊，所述光能轉換模塊設置于所述照明模塊與所述顯示模塊之間。

2.根據權利要求1所述的集成式LED結構，其特征在于，所述功能模塊還包括溫度探測模塊和光探測模塊，五個所述功能模塊間隔布置于所述基板的板面上。

3.根據權利要求2所述的集成式LED結構，其特征在于，所述照明模塊、所述顯示模塊和所述光能轉換模塊布置于所述基板的同一側。

4.根據權利要求2所述的集成式LED結構，其特征在于，所述溫度探測模塊和所述光探測模塊布置于所述基板的同一側。

5.根據權利要求2所述的集成式LED結構，其特征在于，所述溫度探測模塊和所述照明模塊分別布置于所述基板的兩側。

6.根據權利要求1-5任一項所述的集成式LED結構，其特征在于，所述基板的材料包括藍寶石或碳化硅。

7.根據權利要求2所述的集成式LED結構，其特征在于，所述光能吸收模塊的電極面積和所述光探測模塊的電極面積，小于其余所述功能模塊的電極面積。

8.根據權利要求1所述的集成式LED結構，其特征在于，各所述功能模塊均具有獨立的散熱驅動板。

9.根據權利要求1所述的集成式LED結構，其特征在于，所述照明模塊的電極為非直線型結構。

10.根據權利要求9所述的集成式LED結構，其特征在于，所述非直線型結構為米字型結構或者為環形結構。

11.一種如權利要求1-10任一項所述的集成式LED結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

分別制備各所述功能模塊，所述功能模塊包括照明模塊、顯示模塊、光能轉換模塊、溫度探測模塊和光探測模塊；

在各所述功能模塊所在的外延層上沉積鈍化層，并在鈍化層上光刻出接觸孔的圖形，依次采用干刻工藝和濕刻工藝進行刻蝕，以形成外延結構；

在所述照明模塊上制備線pad；

分別在顯示模塊、光能轉換模塊、溫度探測模塊和光探測模塊上制備連接金屬或焊點；

將所述外延結構集成于基板；

剝離所述外延層。

12.根據權利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述制備各所述功能模塊，具體包括：

通過ICP蝕刻，以得到功能晶片；

對所述功能晶片去膠，并用強酸強氧化性溶液進行清洗；

通過剝離在第一預設位置沉積出電流擴散層；

通過光刻在所述功能晶片的表面利用光刻膠做出圖形化，并通過電子束蒸發將導電金屬蒸發至所述功能晶片；

在預設濃度比例的氣氛下進行退火處理；

采用剝離法，在第二預設位置沉積金屬，以形成p電極和n電極，并將金屬疊層蒸發到p電極和n電極位置。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，進行ICP蝕刻時，蝕刻氣壓為6-10mt，刻蝕采用的氬氣和Bl3氣體的質量流量均為8-12sccm，射頻源為80-120，射頻偏壓為10-30，刻蝕時間為8-12min。

14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，進行ICP蝕刻時，蝕刻氣壓為8mt，刻蝕采用的氬氣和Bl3氣體的質量流量均為10sccm，射頻源為100，射頻偏壓為20，刻蝕時間為10min。