[發(fā)明專(zhuān)利]顯示面板及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210043138.4
• 申請(qǐng)日: 2022-01-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114400293A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王玉林;丁小琪;賈立;田學(xué)偉;陳立強(qiáng);郭遠(yuǎn)征;石佳凡
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/52
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 張?bào)銓?/td>

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

基板，包括顯示區(qū)和環(huán)繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)；

第一封裝層，覆設(shè)于所述基板的一側(cè)；

顯示器件層，設(shè)置于所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)且所述顯示器件層在所述基板上的正投影位于所述顯示區(qū)；

第二封裝層，覆設(shè)于所述顯示器件層遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一側(cè)并延伸至所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

其中，所述基板位于所述非顯示區(qū)的表面開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)溝槽，所述第一封裝層和/或所述第二封裝層中至少部分嵌入溝槽中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述基板包括第一阻擋層和配向?qū)樱雠湎驅(qū)釉O(shè)置于所述第一阻擋層靠近所述顯示器件層的一側(cè)，至少一個(gè)所述溝槽開(kāi)設(shè)于所述配向?qū)又胁⒙冻霾糠炙龅谝蛔钃鯇印?/p>

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一封裝層包括柵極絕緣層和層間介質(zhì)層，所述柵極絕緣層覆蓋至少一個(gè)所述溝槽的側(cè)壁并與所述第一阻擋層接觸，所述層間介質(zhì)層保形地覆蓋所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一封裝層包括層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋至少一個(gè)所述溝槽的側(cè)壁并與所述第一阻擋層接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一封裝層包括依次層疊的第二阻擋層、柵極絕緣層和層間介質(zhì)層，所述第二阻擋層覆蓋至少一個(gè)所述溝槽的側(cè)壁并與所述第一阻擋層接觸，所述柵極絕緣層保形地覆蓋所述第二阻擋層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述層間介質(zhì)層保形地覆蓋所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第二封裝層包括第一沉積層和第二沉積層，所述第一沉積層覆蓋至少一個(gè)所述溝槽的側(cè)壁并與所述第一阻擋層接觸，所述第二沉積層保形地覆蓋所述第一沉積層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)。

7.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板包括顯示區(qū)和環(huán)繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū)，在所述基板的一側(cè)制備第一封裝層；

在所述基板的非顯示區(qū)制備至少一個(gè)溝槽；

在所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)制備顯示器件層，所述顯示器件層在所述基板上的正投影位于所述顯示區(qū)；

在所述顯示器件層遠(yuǎn)離所述第一封裝層的一側(cè)制備第二封裝層，所述第二封裝層延伸至所述第一封裝層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)；

其中，所述第一封裝層和/或所述第二封裝層至少部分嵌入所述溝槽中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在所述基板的一側(cè)制備第一封裝層，包括：在所述基板的一側(cè)制備第二阻擋層；

在所述第二阻擋層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)制備柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)制備層間介質(zhì)層；

所述在所述基板的非顯示區(qū)制備至少一個(gè)溝槽，包括：在所述在所述基板的一側(cè)制備第二阻擋層之后，圖案化所述配向?qū)有纬芍辽僖粋€(gè)溝槽。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在所述基板的一側(cè)制備第一封裝層，包括：在所述基板的一側(cè)制備第二阻擋層；

在所述第二阻擋層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)制備柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)制備層間介質(zhì)層；

所述在所述基板的非顯示區(qū)制備至少一個(gè)溝槽，包括：在所述在所述第二阻擋層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)制備柵極絕緣層之后，圖案化所述配向?qū)有纬芍辽僖粋€(gè)溝槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在所述基板的一側(cè)制備第一封裝層，包括：在所述基板的一側(cè)制備第二阻擋層；

在所述第二阻擋層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)制備柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)制備層間介質(zhì)層，形成所述第一封裝層；

所述在所述基板的非顯示區(qū)制備至少一個(gè)溝槽，包括：圖案化所述配向?qū)雍退龅谝环庋b層形成搭接孔，以及圖案化所述配向?qū)有纬芍辽僖粋€(gè)溝槽。