[發明專利]一種高可靠性通孔電容和制作方法

有效

• 申請號: 202210042821.6
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN114400286B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 陳婷
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H10N97/00
• 分類號: H10N97/00
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 張巨箭

1.一種高可靠性通孔電容，其特征在于：包括：

襯底；

位于襯底上方的電容結構；

背面通孔，開設于所述襯底背面，所述背面通孔的向上投影位于非電容結構區域；

所述電容結構包括：

下極板，位于所述襯底上；

上級板，部分的布局于下極板上方；

介質層，位于所述下極板和上級板之間；

所述背面通孔的向上投影存在下極板且不存在所述上級板。

2.根據權利要求1所述的一種高可靠性通孔電容，其特征在于：所述電容結構還包括：

背面金屬，位于襯底背面和所述背面通孔上，用于連通背面通孔和上級板、或連通背面通孔和下極板。

3.根據權利要求1所述的一種高可靠性通孔電容，其特征在于：所述上級板包括一層上級板，所述電容結構為MIM電容。

4.根據權利要求1所述的一種高可靠性通孔電容，其特征在于：所述上級板包括多層上級板，所述電容結構為stack電容。

5.根據權利要求1所述的一種高可靠性通孔電容，其特征在于：所述通孔電容還包括：

第一焊盤，所述上級板形成空氣橋結構與所述第一焊盤連接；

第二焊盤，所述下極板延伸與所述第二焊盤連接。

6.根據權利要求1所述的一種高可靠性通孔電容，其特征在于：所述下極板由下至上分別為Ti/X/Au/Ti，其中X包括Ni、Pt、Mo、Ti或沒有。

7.根據權利要求1所述的一種高可靠性通孔電容，其特征在于：所述上級板由下至上分別為Ti/Au。

8.根據權利要求1所述的一種高可靠性通孔電容，其特征在于：所述介質層為SiN_x。

9.如權利要求1～8中任意一項所述的一種高可靠性通孔電容的制作方法，其特征在于：包括正面工藝加工步驟和背面工藝加工步驟，所述正面工藝加工步驟包括以下子步驟：

S11：在襯底上，通過光阻、曝光、顯影形成第一層金屬光刻圖形；

S12：使用真空蒸鍍法形成金屬層；

S13：用金屬剝離工藝進行金屬剝離，得到下極板；

S14：使用等離子體化學氣相沉積法進行介質層薄膜沉積；

S15：通過光阻、曝光、顯影形成中間介質層光刻圖形；

S16：使用干法刻蝕去除無光阻覆蓋的圖形區域；

S17：去除光刻膠；

S18：通過光阻、曝光、顯影形成第二層金屬光刻圖形；

S19：使用真空蒸鍍法沉積第二層金屬層；

S20：用金屬剝離工藝進行金屬剝離，得到上級板；

所述背面工藝加工步驟包括以下子步驟：

S21：通過光阻、曝光、顯影形成背面通孔光刻圖形；

S22：使用干法刻蝕去除無光阻覆蓋的圖形區域；

S23：去除光刻膠；

S24：濺射背面種子層；

S25：使用電鍍工藝制作通孔背面金屬；

S26：通過光阻、曝光、顯影形成背金層光刻圖形；

S27：使用濕法刻蝕去除無光刻膠覆蓋的金屬區域，留下的區域為背金圖形；

S28：去除光刻膠。