[發明專利]用于電子束曝光的對準標記及其制備方法

在審

• 申請號: 202210042527.5
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN114460819A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 張欽彤;裴天
• 申請（專利權）人: 北京量子信息科學研究院
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 項榮;何春暉

1.一種用于電子束曝光的對準標記的制備方法，包括：

在襯底上覆蓋光刻膠；

以預定形狀對所述光刻膠進行曝光并顯影，以去除所述襯底上的一部分光刻膠，從而形成具有所述預定形狀的圖案；

在所述襯底和保留在所述襯底上的光刻膠上沉積金屬的同時，使保留在所述襯底上的光刻膠受熱膨脹；以及

去除保留在所述襯底上的光刻膠及其上沉積的金屬，從而在所述襯底上得到具有所述預定形狀的沉積金屬。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其中使保留在所述襯底上的光刻膠受熱膨脹包括：

通過在所述襯底和保留在所述襯底上的光刻膠上沉積的金屬所攜帶的能量，對保留在所述襯底上的光刻膠進行加熱。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其中所述金屬的發射源與所述襯底之間具有預定的距離。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其中使保留在所述襯底上的光刻膠受熱膨脹包括：

利用獨立的加熱器，對所述襯底和/或保留在所述襯底上的光刻膠進行加熱。

5.一種用于電子束曝光的對準標記的制備方法，包括：

在襯底上覆蓋第一光刻膠；

在所述第一光刻膠上覆蓋第二光刻膠；

以預定形狀對所述第一光刻膠和第二光刻膠進行曝光并顯影，以去除所述襯底上的一部分第一光刻膠和一部分第二光刻膠，從而形成具有所述預定形狀的圖案；

在所述襯底和保留在所述襯底上的第二光刻膠上沉積金屬的同時，使保留在所述襯底上的第一光刻膠和第二光刻膠受熱膨脹；以及

去除保留在所述襯底上的第一光刻膠和第二光刻膠及其上沉積的金屬，從而在所述襯底上得到具有所述預定形狀的沉積金屬。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其中所述第一光刻膠比所述第二光刻膠具有更高的靈敏度，從而在進行曝光并顯影后，所述第一光刻膠的圖案比所述第二光刻膠的圖案大。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其中所述預定形狀的圖案具有倒梯形結構。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其中使保留在所述襯底上的第一光刻膠和第二光刻膠受熱膨脹包括：

通過在所述襯底和保留在所述襯底上的第二光刻膠上沉積的金屬所攜帶的能量，對保留在所述襯底上的第一光刻膠和第二光刻膠進行加熱。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其中所述金屬的發射源與所述襯底之間具有預定的距離。

10.根據權利要求5所述的制備方法，其中使保留在所述襯底上的第一光刻膠和第二光刻膠受熱膨脹包括：

利用獨立的加熱器，對所述襯底和/或保留在所述襯底上的第一光刻膠和第二光刻膠進行加熱。

11.一種利用如權利要求1-10中任一項所述的方法制備的、用于電子束曝光的對準標記。

12.根據權利要求11所述的對準標記，其中所述對準標記具有三角形、梯形或谷倉形截面。