[發明專利]芯片電阻結構

在審

• 申請號: 202210041641.6
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN116072362A
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 張修瑜;林昭廷
• 申請（專利權）人: 乾坤科技股份有限公司
• 主分類號: H01C1/024
• 分類號: H01C1/024;H01C1/028
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種芯片電阻結構，包括：

一基板；

一對第一電極，位于該基板的第一表面上，以第一間距相對設置；

一電阻層，位于該基板的該第一表面上，該對第一電極之間；

一間隔層，位于該對第一電極上方，其材料中包含一與該電阻層不同的組成分；

一保護層，位于該電阻層上方；

一鍍層，電鍍至該對第一電極與該間隔層上，具有延伸出該對第一電極外而停止于至少該間隔層上方的端部。

2.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該電阻層的兩端分別延伸至該對第一電極上，而該間隔層包括第一部分與第二部分，分別從該對第一電極上方延伸至該電阻層的該兩端上方。

3.如權利要求2所述的芯片電阻結構，其中該間隔層的該第二部分的長度各為該芯片電阻結構總長度的12％～21％。

4.如權利要求3所述的芯片電阻結構，其中該間隔層的該第一部分與該第二部分具有第一寬度，該第一寬度小于被其所覆蓋的該電阻層的寬度。

5.如權利要求2所述的芯片電阻結構，其中該間隔層的該第一部分與該第二部分具有一第二寬度，該第二寬度不小于被其所覆蓋的該對第一電極部分的寬度。

6.如權利要求2所述的芯片電阻結構，其中該間隔層的該第一部分與該第二部分在該電阻層上一體成形為一連續層。

7.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該鍍層的一端與該保護層的一端在該間隔層上方相接觸，且其間的任何界面或縫隙與該對第一電極間以該間隔層分隔。

8.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該間隔層材料的燒結溫度與該保護層材料的燒結溫度相比，更接近該對第一電極的燒結溫度。

9.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該間隔層材料為一可被電鍍材料。

10.如權利要求9所述的芯片電阻結構，其中該可被電鍍材料獨立選自鋁、鎳、鈦、鉻、碳或釕、其合金、其氧化物、或前述材料的組合。

11.如權利要求9所述的芯片電阻結構，其中該間隔層材料包含二氧化釕。

12.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該電阻層材料包含二氧化釕。

13.如權利要求12所述的芯片電阻結構，其中該間隔層材料中所含二氧化釕的比率小于該電阻層材料中所含二氧化釕的比率。

14.如權利要求13所述的芯片電阻結構，其中該間隔層材料中所含二氧化釕的比率比該電阻層材料中所含二氧化釕的比率低8％或以上。

15.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該電阻層材料選自二氧化釕、二氧化硅、氧化鋇、氧化鋅、銀、銀鈀合金、或其組合。

16.如權利要求1所述的芯片電阻結構，還包括：

一對第二電極，間隔設置于該基板的第二表面上，其中該第一表面為基板的上表面，而該第二表面為為基板的下表面；以及

一對第三電極，分別位于該基板的兩端面上，各使該對第一電極之一電連接至該對第二電極之一。

17.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該鍍層進一步被電鍍至該對第二電極與該對第三電極上。

18.如權利要求16所述的芯片電阻結構，其中該對第一電極、該對第二電極、以及該對第三電極的材料選自包含銀、鎳銅合金、或銅的材料。

19.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該對第一電極的材料為包含銀的材料。

20.如權利要求1所述的芯片電阻結構，其中該保護層包括一下方絕緣層，覆蓋于該電阻層上，以及一上方絕緣層，覆蓋于該下方絕緣層上，并延伸覆蓋至少部分該間隔層。