[發明專利]存儲器陣列

在審

• 申請號: 202210041541.3
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN116490003A
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 王慧琳;范儒鈞;許清樺;王駿豪;林奕佑;吳東明;許博凱
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H10B61/00
• 分類號: H10B61/00;G11C5/02;G11C5/08;G11C11/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王銳

1.一種存儲器陣列，包含：

至少一帶區域，包含多個源極線帶和多個字線帶；

至少兩個子陣列，包含多個交錯的主動磁存儲元件，其中，所述至少兩個子陣列被所述帶區域分開；

多個交錯的虛設磁存儲元件，設置在所述帶區域內；以及

多個位線結構，設置在所述至少兩個子陣列中，其中，各所述多個位線結構設置在所述多個交錯的主動磁存儲元件中的至少一個之上且直接連接所述多個交錯的主動磁存儲元件中的所述至少一個。

2.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中，各所述多個位線結構與排列在同一行中的所述多個交錯的主動磁存儲元件中的至少兩個直接連接。

3.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中，各所述多個位線結構包含：

第一位線；以及

第二位線，設置在所述第一位線之上，其中，所述第一位線與所述第二位線沿同一方向延伸且彼此電連接。

4.根據權利要求3所述的存儲器陣列，其中，各所述多個位線結構進一步包含：

至少一導電通孔，設置在所述第一位線與所述第二位線之間，其中，所述第一位線通過所述至少一導電通孔電連接到所述第二位線。

5.根據權利要求3所述的存儲器陣列，其中，所述多個交錯的虛設磁存儲元件中的至少一個的上電極通過設置在所述多個交錯的虛設磁存儲元件中的所述至少一個之上的接墊電連接到所述多個字線帶中的一個。

6.根據權利要求5所述的存儲器陣列，其中，所述接墊是金屬層的一部分，各所述第一位線是所述金屬層的另一部分，且所述接墊與所述第一位線分離。

7.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中，所述多個源極線帶包含沿第一方向延伸的多個第一源極線帶和沿所述第一方向延伸的多個第二源極線帶。

8.根據權利要求7所述的存儲器陣列，其中，所述多個字線帶沿所述第一方向延伸且在第二方向上位于所述多個第一源極線帶和所述多個第二源極線帶之間。

9.根據權利要求8所述的存儲器陣列，其中，所述第一方向與所述第二方向正交。

10.根據權利要求8所述的存儲器陣列，其中，各所述多個第一源極線帶被連接到沿所述第二方向延伸的共用源極線。

11.根據權利要求8所述的存儲器陣列，其中，所述存儲器陣列進一步包含沿所述第一方向延伸的第一虛設擴散區，且所述第一虛設擴散區設置在所述多個第一源極線帶正下方。

12.根據權利要求11所述的存儲器陣列，其中，所述存儲器陣列進一步包含沿所述第一方向延伸的第二虛設擴散區，且所述第二虛設擴散區設置在所述多個第二源極線帶正下方。

13.根據權利要求12所述的存儲器陣列，其中，所述存儲器陣列進一步包含沿所述第一方向延伸的第三虛設擴散區，所述第三虛設擴散區設置在所述多個字線帶正下方，且所述第三虛設擴散區在所述第二方向上位于所述第一虛設擴散區與所述第二虛設擴散區之間。

14.根據權利要求8所述的存儲器陣列，其中，所述存儲器陣列進一步包含沿所述第二方向延伸的多條柵極線。

15.根據權利要求14所述的存儲器陣列，其中，所述多個交錯的主動磁存儲元件包含布置在第一列中的多個第一主動磁存儲元件和布置在第二列中的多個第二主動磁存儲元件，其中，布置在所述第一列中的所述多個第一主動磁存儲元件和布置在所述第二列中的所述多個第二主動磁存儲元件分別與沿著所述第二方向延伸的所述多條柵極線對準。

16.根據權利要求1所述的存儲器陣列，其中，各所述多個交錯的主動磁存儲元件通過鎢通孔電連接到存儲節點接墊。